Diskussion:Latch-up-Effekt

Die kritische geometrische Struktur besteht aus einem lateralen npn- und einem parasitärem vertikalen pnp-Transistor. Die Source-Drain-Gebiete der p-Kanaltransitoren sind der Emitter und die N-Wanne die Basis des so entstandenen pnp-Transistors, während das p-leitende Substrat den Kollektor darstellt. Emitter, Basis und Kollektor des npn-Transistors bilden entsprechend die Source-Drain-Gebiete der n-Kanal-Transistoren, das p-Substrat und die n-Wanne.

In diesem Stil geht das noch lange weiter. Einmal auf deutsch bitte für Normalsterbliche. --192.94.94.105 Diskussion:Latch-up-Effekt#c-192.94.94.105-2007-09-06T08:37:00.000Z-Artikel unverständlich11Beantworten

Ja, es fehlen/ten zumindest diverse wikilinks auf die diversen Artikel wie Bipolartransistor und Umfeld, wo viele der verwendeten Begriffe bereits erklärt sind. Meiner Meinung macht es hier, bei der Erklärung eines speziellen Effektes, keinen Sinn die Grundlagen von Transistoren und integrierten Schaltungen zu erklären. Tlw. erfolgte in den letzten Tagen durch verschiedene Autoren und den LA ausgelöst bereits eine gewisse Verbesserung im Artikel.--wdwd Diskussion:Latch-up-Effekt#c-Wdwd-2007-09-18T16:33:00.000Z-192.94.94.105-2007-09-06T08:37:00.000Z11Beantworten

und verständlich. vll. kann man noch parasitärer Transistor etwas erklären sowie, dass es latchup auch in Leistungshalbleitern gibt. Raus aus der QS!--Ulfbastel Diskussion:Latch-up-Effekt#c-Ulfbastel-2007-09-27T18:25:00.000Z-Artikel ist gut11Beantworten

Ja, Zustimmung. -QS und auch gleich durchgeführt.--wdwd Diskussion:Latch-up-Effekt#c-Wdwd-2007-09-27T18:41:00.000Z-Ulfbastel-2007-09-27T18:25:00.000Z11Beantworten

der JEDEC-Standard ist JESD78B, nachzulesen auf http://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd-78b

wielleicht verlinkt jeand direkt zu der jedec-seite? 217.10.60.85 Diskussion:Latch-up-Effekt#c-217.10.60.85-2010-02-12T07:53:00.000Z-neuerer JEDEC-Standard11Beantworten

Vielleicht verstehe ich das falsch, aber das Bild zeigt doch, wie auch beschriftet, MOSFETs. Die überlagerte Skizze zeigt aber Bipolar-transistoren! Meiner Meinung nach falsch oder zumindest sehr irritierend. -- 87.181.182.131 Diskussion:Latch-up-Effekt#c-87.181.182.131-2010-09-09T18:40:00.000Z-Bild inkonsistent?11Beantworten

Das Bild zeigt wie die reale Struktur eines CMOS-Inverters in Planartechnik ebenfalls einen parasitären Thyristor (Ersatzschaltung aus Bipolartransistoren) bildet. Das ist nicht falsch sondern der wesentliche Grund für den Latch-Up-Effekt. --Cepheiden Diskussion:Latch-up-Effekt#c-Cepheiden-2010-09-09T19:06:00.000Z-87.181.182.131-2010-09-09T18:40:00.000Z11Beantworten