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[[Diskussion:Transistor/Archiv#Thema 1]]
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Im Kleinsignal-Ersatzschaltbild wird die Stromquelle am Ausgang entweder durch das Produkt der Stromverstärkung und des Basis-Stromes oder durch das Produkt der Steilheit (Vorwärtssteilheit) und der Basis-Emitter-Spannung beschrieben. In dem hier vorliegenden Artikel wird die erste Version bevorzugt und der Transistor als stromgesteuerte Stromquelle beschrieben. Ist diese Betrachtung nicht nachteilig gegenüber der Betrachtung der spannungsgesteuerten Stromquelle?
Die Stromverstärkung ist zum einen eine Funktion der Temperatur als auch eine Funktion des Kollektorstromes und ist meines Wissens nach nicht mittels einer Formel direkt beschreibbar (ich bin bis jetzt noch auf keine derartige Beschreibung gestoßen), da diese Effekte nicht proportional oder ähnliches sind. Im Gegensatz dazu ist die Vorwärtssteilheit direkt aus der Shockley-Gleichung ableitbar und beschreibt den Transistor über einen weiten Bereich sehr genau. Lediglich die beiden extremen Randbereiche (sehr niedriger bzw. sehr hoher Kollektorstrom) weichen von der Beschreibung auf Grund von verschiedenen Effekten ab. Ist demnach nicht die Beschreibung als spannungsgestuerten Stromquelle der Anderen vorzuziehen?
Also, einen Bipolartransitor mit einer spannungsgesteuerte Stromquelle modellieren kann, ist mir nicht bekannt. Soweit ich weis wird für die Ersatzschaltung beim Bipolar die stromgesteuert und für FET die spannungsgesteuerte Stromquelle genommen. Die Stromverstärkung beim Bipolar ist meiner Meinung nach nur temperaturabhängig (jedenfall im normalen Betriebsbereich). --Cepheiden 22:30, 12. Okt 2005 (CEST)
Da stellt sich die Frage wie der normale Betriebsbereich definiert wird. Schaut man sich zB mal ein Datenblatt an (als Beispiel: [1]), so kann man erkennen, dass sich die Stromverstärkung (in diesem Fall als hfe bezeichnet) schon in einem großen Rahmen ändern kann, wie in dem aufgelisteten Datenblatt als Funktion des Kollektorstromes. Natürlich wird man vesuchen den Arbeitspunkt günstig zu legen, aber bereits ein zehnfacher Kollektorstrom führt zu einer Reduktion der Stromverstärkung von ca. 180 auf 60.
In der Literatur (zB Tietze, Schenk - Halbleiter-Schaltungstechnik) werden je nach Betrachtung (Arbeitspunkteinstellung oder Signalübertragung) die stromgesteuerte oder die spannungsgesteuerte Betrachtung gewählt. Es stimmt, dass hier die stromgesteuerte Stromquelle als Einstellung benutzt wird. Dies wird aber nur für die AP-Einstellung benutzt, da dies aus dem Großsignal-Ersatzschaltbild nach Ebbers-Moll abgeleitet ist. Zur Signalübertragung, und das ist ja die eigentliche Aufgabe des Transistors, wird die Modellierung der spannungsgesteuerten Stromquelle benutzt.
Bei Zahlenangeben aus englischen Quellen hat man immer das Problem der unterschiedlichen Bezeichnungen englisch/deutsch. Wenn im amerikanischen von "Trillion" die Rede ist, sind 1012 gemeint. Im deutschen ist eine Trillion 1018 (weil es im amerikanischen keine Milliarde, Billiarde usw. gibt). Hier müsste man sich anhand der Quelle sicherlich noch mal vergewissern, was genau gemeint war bzw. ob derjenige, der den Text ins deutsche übertragen hat, korrekt mit diesen Bezeichungen umgegangen ist.
Die englische Wikipedia äußert sich dazu so:
http://www.wikipedia.org/wiki/TrillionLukian 11:46, 11. Feb 2003 (CET)
Heise Online bezog sich auf Aussage von Moore mit 1018. Heizer 12:18, 11. Feb 2003 (CET)
Müsste es statt
"Ein kleiner Strom auf der Basis-Emitter-Strecke kann dabei einen großen Strom auf der Emitter-Kollektor-Strecke steuern."
nicht
"Ein kleiner Strom auf der Basis-Emitter-Strecke kann dabei einen großen Strom auf der Basis-Kollektor-Strecke steuern."
heißen? Oder bin ich jetzt im völlig falschen Film? TRauMa 15:36, 5. Apr 2004 (CEST)
"Emitter-Kollektor" ist richtig. Das ist genau der Witz beim Transistor, dass das Bisschen Basisstrom genügt, um den mehrere hundertfach stärkeren Strom zwischen Kollektor und Emitter zu steuern. -- Lukian 17:48, 5. Apr 2004 (CEST)
War ein Fehler in meinem Skriptum ;-) Aber danke für die schnelle Antwort! TRauMa 01:26, 6. Apr 2004 (CEST)
Versuch für Laien: Transistoren sind kleine Bauelemente, die als Verstärker oder Schalter praktisch in allen elektronischen Geräten enthalten sind: Im kleinen Taschenradio oder im Walkman einige wenige, im Handy -zigtausende und im Computer hunderte von Millionen. Ein einzelner Transistor ist eine kaum erbsengroße Kapsel aus Metall oder Plastik, die im Inneren eine ausgeklügelte Anordnung dreier Siliziumschichten enthält. An diesen Siliziumschichten sind drei Drähte angebracht, die aus der Kapsel herausragen. Einen Draht nennt man Basis, den zweiten Kollektor und den dritten Emitter. Was so ein Transistor gut kann, ist das Verstärken von Strom. Z.B. liefern Mikrofone sehr schwachen Strom, der im Takt der aufgenommenen Töne vibriert. Ein Lautsprecher, der Töne laut wiedergeben soll, braucht aber sehr viel stärkeren Strom, als das Mikrofon liefern kann. Und hier hilft der Transistor: durch die Anschlussdrähte, die Emitter und Kollektor heißen, kann man einen Strom schicken, der stark genug ist, um den Lautsprecher tönen zu lassen. Wenn man nun den schwachen Strom, den das Mikrofon erzeugt, gleichzeitig in den Basisdraht hineinschickt, dann schafft es der Transistor (denn genau das ist sein Job!), dass der starke Strom zwischen Emitter und Kollektor ganz genau mit gleichem Takt und gleicher Form vibriert, wie der schwache Basisstrom, der vom Mikrofon kommt: Der Transistor sorgt so durch seine Stromverstärkung dafür, dass unser Lautsprecher wirklich laut wiedergibt, was das Mikrofon gerade aufnimmt. Bleibt noch die Frage, wie Millionen von Erbsen in den Computer passen. Das kommt daher, dass die Transistoren im Computer extrem klein aufgebaut und in den Schaltkreisen ganz dicht gepackt sind: da passen Millionen in einen Fingerhut. -- LukianDiskussion:Transistor/Archiv#c-Lukian-2004-05-10T18:29:00.000Z-Moi-2004-05-10T11:26:00.000Z11
Arbeitsbereiche
Ist diese Formulierung nicht etwas unglücklich: Verstärkungsbereich: Der Basis-Kollektor-Übergang sperrt? -- Pjacobi 00:29, 3. Okt 2004 (CEST)
Strukturierung
folgende Vorschläge habe ich als jemand der sich als Lernender mit dem Thema beschäftigt:
ich finde dieses Thema hätte es verdient neu strukturiert zu werden. Es gibt zum Teil rel. detaillierte Artikel, aber viele Informationen (Text, Bild, Formeln) tauchen mehrfach auf. Dies macht es gerade für Laien schwer einen Einstieg zu finden. Ich werde mich heute Abend mal an Modelle zur Funktionsweise von Transistoren machen.
m.E. steht im Unterpunkt "Arbeitsbereiche" alles, was in "Verstärkungsfaktor" schon vorweggenommen wurde. gilt die genannte Formel für alle Arten von Transistoren ...?
viel angekündigt. -- Babylon_Inc 8:23, 8. Okt 2004 MESZ
Stört sich eigentlich niemand daran, dass beim Thema Transistor eigentlich nur auf den Bipolar Transistor eingegangen wird und das obwohl es dazu einen Extraeintrag gibt. Ich schlage vor die Bereiche Aufbau,Kennlinien, Arbeitsbereichem und Transistorschaltungen hier zu entfernen und sie beim Bipolarartikel einzubauen. Alternativ wären auch klare Hinweise darauf das es sich hier nur um den Bipolartransistor handelt in Ordnung, meinen ersten Vorschlag finde ich aber sinnvoller. --Cepheiden 17:40, 10. Feb 2005 (CET)
Du hast vollkommen recht. Ich würde im Artikel Transistor nur allgemeines schreiben, also ne Erklärung (für Oma) der Funktion und der Anwendungen , und die Historie. Detaillierteres (Bipolar-Transistorschaltungen, Kennlinien, detaillierter Aufbau usw) sollte dann in die Artikeln Bipolartransistor, FET usw., worauf man ja dann von hier verlinken kann.--Jdiemer 17:47, 10. Feb 2005 (CET)
Sollen wir dann die Änderung vornehmen? --Cepheiden 18:53, 13. Feb 2005 (CET)
Ja, hau rein! :-) Du hattest ja schon etwas geändert (Bipolar-Kennlinien von Transistor nach Bipolartransistor verschoben), aber das wieder rückgängig gemacht. Wieso? --Jdiemer 00:55, 16. Feb 2005 (CET)
Öhm, ich hab deutlich mehr kopiert. Die Kennlinien habe ich wieder zurück kopiert weil die sich auf Bipolar und FETs beziehen. --Cepheiden 15:33, 16. Feb 2005 (CET)
Oh ja, hab ich übersehen, sorry. Das Kapitel über Kennlinien sollte man aber aufbröseln nach Bip und FET, und für den Transistor-Artikel verallgemeinern. --Jdiemer 17:13, 16. Feb 2005 (CET)
Schaltzeichen
In meinen Büchern ist überall ein Kreis um den Transistor in den Schaltplänen. Welches Symbol ist richtig? --Trexer 16:49, 13. Feb 2005 (CET)
Sind beide richtig. Es gibt auch noch andere Schaltzeichen die ebenfalls die verschiednen Typen darstellen. Ich denke aber die hier dargestellten sind in Europa die am häufigsten verwendeten. --Cepheiden 18:52, 13. Feb 2005 (CET)
Gibt es da keine Norm? Also wenigstens für Deutschland? Danke sagt Trexer 18:56, 13. Feb 2005 (CET)
Sicher gibts da irgendwo eine DIN. Ich denk mal die DIN 40700-8 "Schaltzeichen; Halbleiterbauelemente" könnte eventuell weiterhelfen. Da hab ich aber jetzt keinen Zugriff drauf. Denk auch nicht das es so wichtig ist, denn z. B. in den meisten Design Programmen wird eh die US-Symbolik verwendet. Ist das so wichtig? Ich mein üblich sind die im Artikel, genauso wie die mit Kreis drumrum. Im Titzke-Schenk wird auch die Symbolik ohne Kreis benutzt. --Cepheiden 19:29, 13. Feb 2005 (CET)
Für mich persönlich auch nicht, aber wenn man in Physik einen wissenschaftliche Arbeit dazu verfassen soll ist es schon von Bedeutung. Mir scheint das ohne Kreis ist eher technisch und das mit eher physikalisch. --Trexer 20:43, 13. Feb 2005 (CET)
Es ist nur das Symbol ohne richtig, außer der Kollektor wäre mit dem Gehäuse verbunden, wobei dies dann mit einem Punkt an der Kreuzstelle des Kreises mit dem Kollektor deutlich gemacht werden muß. (nach DIN EN 60617-5 1997, Nachfolger der DIN 40900-5 1988) -- Volatile 13:31, 18. Sep 2005 (CEST)
Wenn ich mich richtig erinnere, wird das Symbol mit Kreis auch immer noch für Röhren verwendet --Badphantom
Sperrung
Wieso ist der Artikel gesperrt??--Ot 18:38, 27. Feb 2005 (CET)
[2] - selbsterklärend denke ich.--Trexer 19:45, 27. Feb 2005 (CET)
so langsam könnte man ihn aber mal wieder freischalten! --Trexer 19:49, 27. Feb 2005 (CET)
FET's
Ist zwar schon lange her, daß ich mit FET's experimentiert und gebastelt habe, aber in dem Artikel stört mich eine Aussage: "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos." Entweder ist die Steuerung stromlos oder nicht. Da hier kein Streit entstehen sollte, schlage ich vor mal eine Stromstärke anzugeben die gewöhnlicherweise dabei auftritt. Wenn die Stromstärke so klein ist daß diese kaum meßbar ist kann man ja auch ein "Kleinergleich-Zeichen" mit einer entsprechenden Zahl einsetzen. Das ergibt wenigstens Information mit der man was anfangen kann. --217.234.111.80 13:59, 14. Apr 2005 (CEST)
Das Problem ist, dass der Ansteuerstrom stark frequenzabhängig ist, eine einfache Angabe ist so schwer möglich. --Jdiemer 14:49, 14. Apr 2005 (CEST)
Genau, der Ansteuerstrom von FETs unterscheiden sich jenach Schaltfrequenz, Transistortypen und der jeweiligen Bauform. Ein allgemeine Aussage ist da schwer zu treffen. Der Ansteuerstrom setzt sich ja bei FETs nur aus dem im Gate gespeicherten bzw. "umzuschichtenden" Ladungen zusammen. Im statischen Fall ist der Gatestrom näherungsweise null (Gateleckströme vernachlässigbar klein ca. 10^-18 A/µm²). Der Gatestrom ist auch im dynamischen Fall um einige Größenordnungen kleiner als der Drainstrom, und kann von daher auch vernachlässigt werden. Das alles gilt natürlich nicht für sehr kleine Gateoxiddicken, da spielen nachher schon Tunneleffekt u. a. mit und erhöhen den Leckstrom.. Die Formulierung "Die Steuerung erfolgt (nahezu) stromlos." ist aber wirklich mist, da sollte man etwas anderes finden. Genauer spezifiziert werden, kann das aber in den Artikeln der jeweiligen Varianten. --Cepheiden 17:33, 14. Apr 2005 (CEST)
STEILHEIT Rf
es gib früher die übliche bezeichnung des differentiellen widerstands im arbeitspunkt; sprich die steilheit der kennlinie im arbeitespunkt. wurde als maß für die verstärkung in kombination mit dem kollektorwiderstand unterrichtet; soll man das noch einbauen oder ist es eher veraltet?
Nein das ist auf garkeinen Fall veraltet, es ist nachwievor ein wichtiger Parameter. Aber er sollte nicht im Artikel "Transistor" behandelt werden, sondern in den Artikeln der jeweiligen Transistorvarianten behandelt werden. Da es sich aber ein Kleinsignalparameter handelt ist es rf.--Cepheiden 11:30, 17. Apr 2005 (CEST)
Achso, statt des differentiellen Widerstands rf wird aber meist dessen Kehrwert genutzt, die Vorwärtssteilheit . --Cepheiden 19:49, 17. Apr 2005 (CEST)
Ich hätte da mal eine Frage: Wenn ein Transistor nur den Strom verstärkt,was macht ein Computer dann beispielsweise 550 mio Transistoren auf einer einzigen Grafikkarte (Geforce 7800GTX) ?
Strom zu verstärken ist nicht das Einzige, wofür man einen Transistor benutzen kann. Wenn man z.B. zwei Spannungspegel ("niedrig" und "hoch") als binäre Zahlenwerte auffasst ("0" und "1"), dann kann man einen Transistor auch dafür einsetzen, um den einen Wert in den anderen umzuwandeln ("Inverter"). Zwei Transistoren kann man über Widerstände so miteinander verbinden, dass die Gesamtschaltung ein Bit speichern kann. Diese Zusammenschaltung nennt man "bistabile Kippstufe" oder Flipflop. Man kann mehrere Transistoren auch so zusammenschalten, dass sie weitere Operationen mit Binärwerten leisten, z.B. als Und-Gatter das "Ausrechnen" des Ergebnisses einer logischen Konjunktion. Aus mehreren Gattern kann man weitere Rechenschaltungen zusammensetzen: Addierer, Multiplizierer, und zusammmen mit genügend bit-Speichern als Register kommt man dann bis zu ganzen Prozessoren wie auch solchen auf einer Grafikkarte. -- Lukian 11:15, 28. Aug 2005 (CEST)
Danke. Das habe ich gut verstanden.
Oskar Heil
Was ist mit "Oskar Heil"? Angeblich ein weiterer Erfinder des Transistors (1935?). --84.112.72.206 12:46, 2005-12-23
wer schreibt von wem ab?
Hallo Leute,
mir ist aufgefallen, dass dieser Artikel "Transistor" in Wikipedia sehr grosse Ähnlichkeit mit "http://www.lexikon-definition.de/Transistor"
hat. Das kann kein Zufall sein. Aber rechtliche Folgen ergeben sich daraus wohl nicht?
mfg
sieh mal relativ weit unten auf deiner verlinkten seite nach: "Dieser Artikel von Autoren der Wikipedia wird durch die GNU FDL (Erläuterung) lizenziert.". --Kristjan 14:07, 5. Feb 2006 (CET)
Danke für den Hinweis. Werde in Zukunft genauer hinsehen!
THX
verwaiste Bilder
Letzter Kommentar: vor 18 Jahren1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt
Ich denke die Bilder sind veraltet und können gelöscht werden. Noch dazu gehören die Abbildungen für Diac und Triac in die entsprechenden Artikel. siehe auch:Liste der Schaltsymbole. — MovGP0 13:36, 23. Jul 2006 (CEST)
Kategorie
Gehört der Transistor nicht in die Kategorie "Aktives Bauelement"? Ich vermisse ihn dort. Leider kann ich das nicht selber ändern... Noch 4 Tage... --Der Burgstädter 23:14, 3. Aug 2006 (CEST)
Kleiner Rechtschreibfehler
Letzter Kommentar: vor 16 Jahren4 Kommentare4 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Sie liesen (ß bitte) sich mit den damaligen Kenntnisstand nicht wirtschaftlich fertigen und waren umständlich zu handhaben.
Letzter Kommentar: vor 16 Jahren11 Kommentare5 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Ich muss leider sagen, dass dieser Artikel für jemanden, der nicht schon im Voraus weiß, was ein Transistor ist, ziemlich unnütz ist. Zuerst kommt der Satz:
Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das zum Schalten und zum Verstärken von elektrischen Strömen und Spannungen verwendet wird.
Ein Huhn ist ein Säugetier, das vom Menschen fürs Eierlegen genutzt wird. Dieser Satz ist wichtig für das Verständnis. Anstatt dass jetzt jedoch auf die genaue Arbeitsweise bzw. den «Sinn» des Transistors eingegangen wird, werde ich mit zig verschiedenen Typen und Variationen bombardiert, mit denen ich als Laie überhaupt nichts anfangen kann.
Ich wäre froh, wenn jemand ausführen könnte was ein Transistor eigentlich macht. Ich weiß jetzt zwar, auf welche Arten man diese Dinger steuert, wie viele davon im Jahr 2002 hergestellt wurden und welche Formeln ich dafür anwenden muss. Aber was macht er eigentlich? Dafür wäre doch der Artikel da, für den Rest kann man Bipolartransistor etc. verwenden.--DerFinneDiskussion:Transistor/Archiv#c-DerFinne-2007-01-25T08:28:00.000Z-Themenschwerpunkt11
PS: MOSFET : Der Abschnitt Aufbau und Funktionsweise ist dort sehr gelungen. Etwas in die Richtung wäre in diesem Artikel hier erstrebenswert.
Ja, das ist nicht schlecht, ist jedoch mehr ein Beispiel. Schau dir jedoch bitte den MOSFET-Artikel an. Ich würde die Sache dann eher so beschreiben:
Eine Aufgabe von Transistoren ist es, Ströme zu verstärken. Hierzu wird um eine isolierende Schicht (z.B. Polysilizium) eine stärkere Spannung angelegt. Der zu verstärkende Strom fließt dann so an dieser Schicht vorbei, dass durch das entstandene Magnetfeld die Isolationsschicht zu einer leitenden Schicht wird. Sobald also der «schwächere» Strom fließt, wird der Stromkreis des «stärkeren» Stroms geschlossen. Somit wird der «schwächere» Strom verstärkt.
Ein Anwendungsbeispiel dafür ... <dein Abschnitt käme dann angepasst hierhin>
Dann käme der Aufbau. Dort käme auch die Sache mit der Basis, dem Emitter und dem Kollektor hin. Vielleicht noch ein Bild zur Illustration.
Dies würde dem Artikel einerseits mehr Struktur geben und andererseits Laien sowie Fortgeschrittene berücksichtigen.
Hi, ok ein Absatz über den Einsatz von Transistoren fehlt in dem Artikel wirklich. Über den Aufbau und Funktionsweise sollte in diesem Artikel nicht erklärt werden. Die beiden Grundvarianten Bipolartransistor und Feldeffekttransistor unterscheiden sich zu sehr. Ein kurzer Absatz und dann der Verweis auf die Hauptartikel reichen völlig. Bilder zum schematischen Aufbau sind auch nicht fehl am Platz, aber detaillierte Erklärungen schon. Was die Erklärung zur Aufgabe und Funktion eines Transistors von DerFinne soll, kann ich nicht nachvollziehen. Ein Transistor wird da aber nicht beschrieben --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2007-01-25T12:13:00.000Z-Lukian-2007-01-25T09:31:00.000Z11
Der Artikel war in der Tat etwas konfus. Den Abschnitt über Kennlinien hab ich mal entfernt: das gehört eindeutig in die zahlreichen Detailartikel zu speziellen Transistortypen und ist auch dort erwähnt. Statt dessen ist meiner Meinung eine grobe Übersicht über Schaltsymbole und ein wenig Rundumerklärung ohne viel Details wesentlich besser angebracht (wer hat in der Elektronik schon mal nicht, in Anlehnung an die meist eher bekannten npn-Transistoren, die Pfeilrichtung bei n-Kanal-FETs leider verkehrt herum gezeichnet.. :). --wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2007-09-09T14:16:00.000Z-Überarbeitungen11
Ebenso wenig wie die Kennlinien hat die Beschreibung der Schaltsymbole etwas in dem Artikel zu suchen. Erst recht da es sich um eine triviale Umschreibung der Symbole und nicht um eine Erklärung handelt. Eine Übersichtliche Darstellung der typischen Schaltsymbole mit entsprechender Beschriftung wäre hier vollkommen ausreichend. Außerdem werden mit den Bearbeitungen der letzten Tage zunehmend Sachverhalte im Artikel wiederholt. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2007-09-10T22:34:00.000Z-Wdwd-2007-09-09T14:16:00.000Z11
Ja, das stimmt teilweise schon. Das Problem ist halt welchen Inhalt man in einen Übersichtsartikel ohne all zuviel Details hineinnehmen sollte. Die Wahl der einzelnen Überschriften finde ich auch nicht sehr glücklich, mir sind keine besseren Inhalte eingefallen. Wenn jemand konkrete Ideen/Vorstellungen hat, die mehr passen, nur zu. --wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2007-09-11T18:29:00.000Z-Cepheiden-2007-09-10T22:34:00.000Z11
Ich find das ja super, dass ich jetzt weiß wie ein Transitsor aufgebaut ist....,aber wie funktioniert er jetzt im einzelnen und wozu dienen Kollektor und Emitter?? Auch würde ich gerne ein genaues, für unwissende Schüler verständliches, Schaltbild vor Augen geführt bekommen um vielleicht ein noch genaueres Bild zu bekommen..... Im großen und ganzen ist der Artikel aber nicht schlecht geschrieben...kompliment. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag stammt von217.82.42.8 (Diskussion • Beiträge) 16:18, 26. Feb. 2008 )
Letzter Kommentar: vor 16 Jahren3 Kommentare3 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Was waren das eigentlich für schwarze kleine Boxen in den Empfängern der Soldaten im 2. Weltkrieg?
Der Aufdruck lt. Zeitzeugen soll Siemens gewesen sein. Denkt Ihr wirklich, der Germaniumtransistor wurde von den Amis erfunden. Das Patent ist deutsche Kriegs-Wiedergutmachung. Zum Beweis solltet Ihr mal Zeitzeugen befragen, bevor es zu spät ist. (-- Valentin2007Diskussion:Transistor/Archiv#c-Valentin2007-2007-08-19T09:49:00.000Z-Germanium-Transistor11)
Vermutlich die damals verbreiteten Detektorempfänger und darin die als Kristall-Detektor (=Diode) genutzten Materialien Bleiglanz und Pyrit, die samt der Nadel (Justage) zum Schutz in entsprechenden Gehäusen untergebracht waren. Aber, falls es Dich beruhigt: Die ersten Patente von den heute großteils genutzten Feldeffekttransistoren gehen nachweislich auf Deutsche zurück, wie auch im Artikel beschrieben.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2007-09-09T14:33:00.000Z-Valentin2007-2007-08-19T09:49:00.000Z11
Nun, wir schreiben hier ja kein Fachbuch. Sondern wirken mehr oder weniger an einer Enzyklopädie mit. Und da ist meiner Meinung ein geschichtlicher Abriss, so möglich und passend, schon sinnvoll. Und rein von der Abfolge macht es für mich auch Sinn in diesem Kontext, die Geschichte und deren Abfolgen zuerst zu bringen. Da passt das Bild und Zusammenhänge dann meist besser, als wenn man sich gleich in irgendwelche Details verliert. Und eine grobe Erklärung in wenigen Sätzen sollte sich in der Einleitung finden, was ja so mehr oder weniger auch der Fall ist. Details wie und was und wie es funktioniert kommen für den geneigten Leser dann später im Artikel - oder wie in diesem Fall als Art "Übersichtsthema", sind Details einzelnen Unterartikeln vorbehalten um Redundanzen möglichst zu vermeiden.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2007-09-09T16:05:00.000Z-Kölscher Pitter-2007-09-09T15:09:00.000Z11
Doppeldioden
Letzter Kommentar: vor 16 Jahren3 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
aja die kleinsten transistoren in mikroprozessoren sind mittlerweile 45nm klein. im artikel steht:Die Größe der Transistoren (Gate-Länge) beträgt bei heutigen hochintegrierten Chips oft nur noch 65 nm und wird in den kommenden Jahren noch weiter sinken.
Letzter Kommentar: vor 16 Jahren2 Kommentare1 Person ist an der Diskussion beteiligt
Der Abschnitt Varianten ist nicht sehr glücklich. Sowas lässt sich meiner Meinung besser mit einer eigenen Kategorie Transistor realisieren. Zum einen gibt es schon eine grosse Anzahl von Artikel über spezielle Transistortypen bzw. auch das Umfeld wie mathematische Beschreibungen dazu. Zum anderen kann dann jeder einfach diese Kategorie ansehen und bekommt genau eine Liste der entsprechend einsortierten Artikel - also das und noch ein wenig mehr was jetzt der Abschnitt Varianten in schlechter Form darstellt.
Das eingekreiste Transistorsymbol deutet ein metallisches (leitendes) Gehäuse an - z.B. bei TO-3. Da heutzutage die meisten Transistoren kunststoffumpresst sind, hat der Kreis in diesen Fällen zu entfallen.
Halte es persönlich für nicht sooo besonders, auf ältere, in der Praxis immer weniger gebräuchliche Schaltsymbole (eingekreiste Versionen) umzustellen. Und wäre dafür, die im Artikel bestehende Schaltsymbole ohne Kreis zu belassen (es ist im Artikel auch ein schriftlicher Hinweis zu dem Thema; imho reicht dies aus).--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2007-12-05T16:47:00.000Z-Pediadeep-2007-11-11T20:49:00.000Z11
Hier sollte jemand mit dem Zugang zu der entsprechenden DIN Norm (DIN EN 60617) mal nachschlagen. Es ist meines Wissens festgelegt, welches Symbol in Deutschland richtig ist. In anderen Ländern werden andere Symbole genutzt. Wenn ich mich recht entsinne, sind die eingekreisten Versionen die alten Symbole, der Kreis ist entfallen. Das hat erst einmal nichts mit Metall/Kunststoff Gehäuse zu tun, welche immer noch häufig genutzt werden. Einfach aus Gründen der Wärmeabfuhr. Aber bei 'Kleinleistungstransistoren' ist ein Metallgehäuse (z.B. BC108 mit TO-18) aus Kostengründen praktisch nicht mehr anzutreffen. 84.133.94.171Diskussion:Transistor/Archiv#c-84.133.94.171-2007-12-23T19:27:00.000Z-Pediadeep-2007-11-11T20:49:00.000Z11
Namensherkunft
Letzter Kommentar: vor 16 Jahren6 Kommentare4 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Leider ist der Artikel zum Editieren geperrt. Deshalb ein kleiner Hinweis: Das Wort Transistor ist ein Kunstwort und heisst "transfer resistor", auf Deutsch "Übertragung des Widerstands". Ich hatte das vor langer Zeit in einem Buch gelesen, dessen Titel ich heute nicht mehr weiss. Bitte den Artikel mit dieseer Information ergänzen. Reinald 79.206.224.32Diskussion:Transistor/Archiv#c-79.206.224.32-2007-12-16T13:11:00.000Z-Namensherkunft11
Es stehen schon zwei verschiedene (alternative?) Erklärungen zur Herkunft dieses Kofferwortes im Artikel. Beide ohne Quellenangabe. Ich kanns auch nicht nachvollzuiehen was und welche Versionen da nun passen mag. Es wäre vorbildhaft, eine weitere dritte Deutung dieses Kofferwortes mit Quellen belegen zu können. --wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2007-12-17T19:40:00.000Z-79.206.224.32-2007-12-16T13:11:00.000Z11
Dieser Abschnitt kann archiviert werden. wdwd 20:59, 20. Dez. 2007 (CET)
Das Wort kommt schlicht und ergreifend aus dem Lateinischen "transire" = hindurchgehen (iter, itneris = der Weg, itor = der Geher, aber auch Derjenige, der passieren lässt) und weil "Trans-itor" (= "der Hindurchlasser") ziemlich holperig klingt, ist ein gefälliges zweites "s" reingerutscht.
Uns "Alte" haben unsere Eltern halt noch auf altsprachliche Gymnasien gezwungen und so ist das heute in unseren Köpfen. Fast alle wissenschaftlichen Fachausdrücke (auch die in der Technik) kommen aus dem Altgriechischenen oder aus dem Lateinschen, manchmal gibt es auch einen Mischmasch daraus (z.B. bei "Television", "tele" ist altgriechisch für "weit, fern" und "visio" ist lateinisch für "Sicht, Sehen", kommt von "videre" = sehen, "video" = ich sehe, dann rutscht noch ein sog. Gefälligkeitsbuchstabe rein, hier am Ende ein "n" ("Vision") und das Fern-Sehen ist geboren)
Wen mir jetzt ein Autor (griechisch = der Selbst-Tuer, derjenige, der aus sich heraus etwas tun darf) glaubt, wäre es als Weihnachtsgeschenk für mich und die Benutzer ganz toll, wenn das im Artikel seinen Niederschlag fände. Der Begriff "Transistor" kommt tatsächlich von "transire". (Peter Bergner, Wissenschaftler, Fossil, nicht angemeldet, aber großer Wiki-Fan, viele Quellen im Kopf.)
Hallo Peter Bergner, danke für die Informationen; mir scheint, es könnte sich hier um sowas wie ein Missverständnis handeln. Was die etymologischen Wurzeln von "Trans..." angeht, hast Du zweifelsfrei recht, noch ist ja Latein keine Geheimwissenschaft. Mir schien aber die Frage nach "Herkunft dieses Kofferwortes" sich nicht so sehr auf die etymologische Wurzel von "Trans..." zu beziehen, sondern mehr darauf, wie die machenden Techniker damals gedacht haben, um zu einer geeigneten Bezeichnung für dieses neue Bauelement zu kommen. Als Deutscher hätte man vielleicht über Bezeichnungen wie "stromverstärkende variable Widerstandstriode" nachgedacht, die englisch sprechenden Erfinder haben in Begriffen wie "Semiconductor Triode", "Solid Triode", "Surface States Triode", "Crystal Triode" and "Iotatron", "transconductance", "transfer", "varistor" gedacht und daraus dann eben "Transistor" gemacht, ohne sich wohl vordergründig um die etymologischen Wurzeln der Wortbestandteile zu kümmern. -- LukianDiskussion:Transistor/Archiv#c-Lukian-2007-12-24T11:20:00.000Z-Namensherkunft11
MISFET (MOSFET)
Letzter Kommentar: vor 16 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Zwei Dinge könnte man meines Erachtens in diesem Absatz noch verbessern. Zum einen erweckt die Formulierung der Überschrift mit den Klammern den Eindruck, bei MISFET und MOSFET würde es sich um zwei Bezeichnungen für den gleichen Typ handeln. Im darauffolgenden Absatz wird aber erklärt, dass MOSFET eine Art von MISFET sind. In der "Praxis" wird man die Begriffe wohl synonym verwendet, wobei ich zugeben muss, dass mir die Bezeichnung MISFET noch nie untergekommen ist.
Zum anderen existiert der Artikel Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, auf den weder in diesem Artikel noch in IGFET verwiesen wird. Sofern es fachlich korrekt ist, sollte der Verweis wohl noch eingefügt werden.
Hi, die Überschrift dieses Absatzes war ursprünglich "MOSFET", wurde dann nachdem auf die Allgemeinheit des Begriffes MISFET hingeweisen wurde, auf "MISFET" geändert. Und dann wurde die Überschrift auf "MISFET (MOSFET)" geändert, vermutlich weil der Betreffende auch mit dem eher wenig geläufigen Begriff MISFET nichts direkt anfangen konnte. Meiner Meinung wärs am Besten die Überschrift wieder nur auf MISFET zu ändern und den zusätzlichen Link den Du vorschlägst zu setzen. Randhinweis: Der Artikel IGFET verweist auf den Artikel Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2008-01-02T11:23:00.000Z-Aule-2008-01-01T18:44:00.000Z11
Review vom 23.12.2007 bis 25.1.2008
Letzter Kommentar: vor 16 Jahren13 Kommentare7 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Nach diversen Umgestaltungen über die letzten Monate hinweg, würde mich als einer der daran Beteiligten primär interessieren, ob der Artikel den Anspruch als Übersichtsartikel gerecht wird und auch für interessierte Leser ohne allzuviel Vorwissen verständlich ist. Explizit wurden Details wie Kennlinien, Schaltungsbeispiele und deren Berechnungen weiterführenden Artikeln, wie die zum Bipolartransistor/Feldeffekttransistor, vorbehalten und daher ausgenommen. Für Hinweise auf Verbesserungsmöglichkeiten dankend, --wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2007-12-23T11:31:00.000Z-Review vom 23.12.2007 bis 25.1.200811
Hi, danke für Deine Hinweise. Was genau meinst Du mit Transistoren in Eproms? Das Floating-Gate der FETs und Tunneleffekt beim Programmieren? Ist das für einen (expliziten) Übersichtsartikel nicht schon etwas zuviel, denn schliesslich gäbe es für diese Details eigene Artikeln und Sub-Kapitel zu MOSFET (auch wenn dieser dzt. den Überarbeitungs-Marker drinnen hat).--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2008-01-01T18:48:00.000Z-Fabian R-2008-01-01T16:56:00.000Z11
PS.: Der Abschnitt über SiC liest sich so, als würden sie bereits eingesetzt und man könnte sie im Bedarfsfall kaufen.
Hi, zum PS: Ja, SiC werden eingesetzt und man kann diese Halbleiterbauelemente bei Bedarf auch kaufen. Es gibt einige, wenige Hersteller wie z.b. Semisouth die darauf spezialisiert sind. Aber nicht 600°C JFETs, das sind erste Experimente. Der Bereich 250-300°C ist abseits Laboranwendungen genutzt. Zivile Anwendungen (Industrie- und Konsumelektronik) kenne ich allerdings (noch) keine. Diese Details sind meiner Meinung eher etwas für den dezidierten Siliciumcarbid-Artikel, ggf auch ein eigener SiC-Halbleiterbauelemente-Artikel der nur diese Aspekte betrachtet. Aber weniger für einen Transistor-Übersichtsartikel geeignet (da zu speziell).--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2008-01-02T12:49:00.000Z-Wdwd-2008-01-01T18:48:00.000Z11
Die Bedeutung für die Entwicklung der Mikroelektronik (IC -> Mikrochip, Computer) kommmt etwas zu kurz. Ich denke da an TTL, CMOS, Verkleinerung der Strukturgrößen, Mooresches Gesetz ... Sinnvoll wären evtl. auch Beispiele, wie Logikgatter aus Transistoren aufgebaut sind, wieviele Transistoren z.B. für die Realisierung einer Speicherzelle benötigt werden, etc. --217.186.139.3Diskussion:Transistor/Archiv#c-217.186.139.3-2008-01-07T18:25:00.000Z-Wdwd-2007-12-23T11:31:00.000Z11
Auch Danke für Deine Hinweise. Den Abschnitt "Anwendungsbereiche" auszubauen ist auf der Todo-Liste, ebenso wie noch einige der obigen Punkte von Fabian R. Auch Wikilinks - manche wie auf das Mooresches Gesetz sind schon vorhanden. Der Artikel sollte zu anderen Artikeln meiner Meinung möglichst wenig redundant sein, also nicht den Inhalt dieser weitergehenden Artikel aufnehmen oder kopieren; Sondern mehr einen guten Überblick erlauben.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2008-01-08T20:04:00.000Z-217.186.139.3-2008-01-07T18:25:00.000Z11
Hallo, ich finde die Einleitung zu detailliert und damit zu lang. Wer mag, mache sich diesen Vorschlag zu eigen und realisiere ihn (ohne Kommentare in Doppelklammern):
Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum schalten und verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. ((Differenzierung von Spannung und Stromstärke evtl. mit Beispielen in einem (Unter-) Abschnitt.))
Meines Erachtens fehlt hier noch ein Vergleichsmoment. Also z. B. „Die Vorteile des Transistors gegenüber früheren Lösungen / gegenüber der Elektronenröhe sind [...]“. Unabhängig davon ein toller Artikel; so sollte ein Übersichtsartikel aussehen. Gruß, --norro 22:11, 8. Jan. 2008 (CET) PS: Der Satz wurde mittlerweile offensichtlich komplett gestrichen. --norroDiskussion:Transistor/Archiv#c-Norro-2008-01-08T21:11:00.000Z-Wdwd-2008-01-08T20:04:00.000Z11
Wenn auch nicht von mir gestrichen: Ich denke, man kann auf eine Vergleich mit Vor/Nachteile des Transistors vs Elektronenröhre verzichten, da dieses "gegenseitige Aufrechnen" der Vor- und Nachteile keine wesentliche Information darstellt. Diese meist eher simplen Vergleiche stammen grossteils so aus der Übergangszeit der 1960 bis 1980 Jahre, auch um vielleicht so manchen damaligen "Radiobastler" für irgendwas Neues zu begeistern. Oder warum auch immer. Betrachte es so: Welcher EDV-Techniker macht bei der Darstellung heutiger USB-Massenspeicher oder Festplatten mit einigen 100GByte im Taschenformat Vergleiche mit Lochkarten? --wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2008-01-18T18:53:00.000Z-Norro-2008-01-08T21:11:00.000Z11
Letzter Kommentar: vor 16 Jahren3 Kommentare3 Personen sind an der Diskussion beteiligt
"Sie unterließen es, diese grundlegenden Lilienfeld-Patente in ihren Veröffentlichungen, späteren Forschungsberichten oder historischen Berichten zu erwähnen. [...] William B. Shockley, John Bardeen und Walter Brattain erhielten dafür 1956 den Nobelpreis für Physik."
Also ich weiß nicht ob ich da der einzige bin, aber bei der vermeintlichen Aussage des zweiten Satzes muss ich schon schmunzeln. Vielleicht sollte man das mal klarer formulieren! ;-) --XavDiskussion:Transistor/Archiv#c-Xav-2008-04-06T20:17:00.000Z-Unfreiwillig komisch11
Teilweise richtig. 1. ist es ein Schichtsystem aus 3 Komponenten (Leiter, Isolator, Halbleiter). Als Leiter wurde früher Aluminium genommen (dann ab den 1980ern dotiertes polysilizium, und bei Intel seit ein paar jahren wieder ein Metall). Als Isolator (um das es hier wohl geht) wurde bis vor kurzen fast ausschließlich Siliziumdioxid genommen. Intel arbeitet seit dem Umstieg auf "Metal gate" wohl mit hafniumdioxid (also einem Metalloxid). Der Umstieg auf Metalloxide mit hoher Permittivität (high-k-Materialien) wird in zukunft sicher auch von anderen Firmen vollzogen. (Dies bezieht sich allerdings alles auf die Si-Halbleitertechnik und hat mit dem Prinzip des MOSFETs nur dahin etwas zu tun, dass dies die meist eingesetze Technik ist). Noch Fragen? P.S. Signaturen nicht vergessen! --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2008-11-03T12:12:00.000Z-Metaloxid11
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren6 Kommentare4 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Bisher war mir der FET immer unter MOSFET und nicht unter MISFET bekannt. Ist das ein anderer????(nicht signierter Beitrag vonCfischer1995 (Diskussion | Beiträge) 14:43, 17. Dez. 2008)
Typisches Problem des der derzeit flasch verwendeten Bezeichnung. Denn die derzeit am meisten eingesetzten FETs sind mit nichten MOSFETs her dSOSFETs (doped Semiconductor oxide semiconductor FET), denn als Gate-Material wird seit den 1990ern Polysilicium eingesetzt. Nur Intel macht seit neustem wieder "metal gate", welches Metall verwendet wird und welches Oxid als Isolator ist aber eher unklar. Aber wie mein Vorredner schon schrieb, wird das alles erklärt. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2008-12-17T16:29:00.000Z-Norro-2008-12-17T13:45:00.000Z11
Nunja MOSFET hat sich einfach eingebürgert, ich wette auch die Mehrzahl der Fachleute würden spontan (ohen nachzudenken) diesen Begriff wählen. Es ist aber wie gesagt nicht korrekt. (Genauso wie MISFET derzeit nicht 100% korrekt ist). Achso wenn noch was unklar hier und im Artikel sein sollte, bitte melden, Autoren selbst setzen oft viel vorraus, was evtl nihct ganz selbstverständlich ist. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2008-12-20T15:51:00.000Z-Cfischer1995-2008-12-20T14:31:00.000Z11
Bipolartransistor
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren4 Kommentare3 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Hallo, meiner Meinung nach ist es falsch, dass bei Bipolartransistor steht, der Strom wird neben den beweglichen Elektronen durch die ORTSFESTEN Ladungsträger des ATOMVERBANDES ausgemacht. Der Bipolartransistor heißt Bi-Polar, weil neben den Elektronen die LÖCHER, also die Stellen im Valenzband, in denen Elektronen fehlen, zur Leitung beitragen. (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von195.83.178.10 (Diskussion • Beiträge) Diskussion:Transistor/Archiv#c-195.83.178.10-2009-01-11T22:47:00.000Z-Bipolartransistor11)
Verstärker ist im Einleitungssatz verlinkt. Des Weiteren wir ebenfalls in der Einleitung darauf hingewiesen, das ein Transistor ein steuerbarer Widerstand ist. Was fehlt dort? Mir würde nur einfallen, das man zwischen den beiden Transistorgrundformen unterscheiden muss, was weiter unten geschied. Detailierte Funktionsweisen sind dann in den jeweiligen Unterartikeln. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-06-22T09:06:00.000Z-Kölscher Pitter-2009-06-22T08:58:00.000Z11
Hi, habe mir erlaubt diese Abbildung in den Hauptartikel (Bipolartransistor) zu verschieben. Weil sonst hier zu überladen. Unter Bipolartransistor finden sich mehr Details und Funktionsprinzipien betreffend Bipolartransistor während das hier nur ein kurzer Abriss/Überblick über die verschiedenen Typen von Transistor sein sollte.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2009-08-08T09:31:00.000Z-91.39.17.127-2008-04-06T14:09:00.000Z11
Lesenswert Kandidatur
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren12 Kommentare3 Personen sind an der Diskussion beteiligt
"die elementaren …" ist in der Hinsicht dann auch nicht viel besser, des Weiteren ist diese Kleinigkeit wohl nicht entscheidend für eine Kandidatur. Ich würde mich über eine Kandidatur auch freuen, da dann mehr Nutzer auf den Artikel aufmerksam werden und hoffentlich konstruktive Kritik positiv in den Artikel einfließen kann. Da es ein Übersichtsartikel ist, muss jedoch darauf geachtet werden, dass hier nicht zu detailierte Beschreibungen oder größere Listen Einzug halten. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-08-08T12:32:00.000Z-Kölscher Pitter-2009-08-08T10:05:00.000Z11
Irgendwie tue ich mich mit der derzeit eingefügten Literatur schwer. Tietze und Schenk ist ok, aber der Rest sind Spezialartikel die noch dazu nur die Geschichte beleuchtet und auch nur in englisch verfügbar ist - Das ist zwar für Einzelnachweise ok, aber für einen Übersichtsartikel würde ich mir irgendwie was "leichter zugängliches", allgemeineres, was mehr Transistoren als solche beschreibt und weniger Kulturk(r)ämpfe, und was vielleicht auch in Deutsch verfügbar ist. Gibt es da Vorschläge? --wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2009-08-10T19:51:00.000Z-Wdwd-2009-08-08T09:27:00.000Z11
Nunja, was stellst du dir genau vor? Für einen Übersichtsartikel finde ich es wenig passend diverse Schaltungstechnikbücher die evtl. alle dasselbe beinhalten aufzuführen. Es wären alles nur Alternativen zum Tietze-Schenk, dazu zähl ich:
Holger Göbel: Einführung in die Halbleiter-Schaltungstechnik. 2. Auflage. Springer, Berlin 2006, ISBN 3-540-34029-7.
Michael Reisch: Halbleiter-Bauelemente. 2. Auflage. Springer, Berlin 2007, ISBN 3-540-73199-7.
Jörg Schulze: Konzepte siliziumbasierter MOS-Bauelemente. 1. Auflage. Springer, Berlin 2005, ISBN 3-540-23437-3.
Thomas Tille, Doris Schmitt-Landsiedel: Mikroelektronik: Halbleiterbauelemente Und Deren Anwendung in Elektronischen Schaltungen. 1. Auflage. Springer, Berlin 2009, ISBN 3-540-20422-9.
Frank Thuselt: Physik der Halbleiterbauelemente: Einführendes Lehrbuch für Ingenieure und Physiker. 1. Auflage. Springer, Berlin 2004, ISBN 3-540-22316-9.
Hi Cepheiden, habe nach dem Durchstöbern der Bibliothek noch einige, eher allgemeine, und meiner Meinung gut zu dem Thema passende Literatur hinzugefügt. Die sehr speziellen Artikeln welche tlw. nur mit IEEE-Account verfügbar sind hab ich mal entfernt bzw. zu den geschichtlichen Referenzen verschoben.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2009-08-12T17:32:00.000Z-Cepheiden-2009-08-10T20:11:00.000Z11
Was noch fehlt sind Informationen über exotische Transitortypen wie dem "Spintransistor" oder dem MIMIM-Transistor (Metal-Insulator-Metal-Insulator-Metal,doi:10.1109/16.536822) oder generell Transistorkonzepten aufbauend auf dem Tunneleffekt, auch TFTs kommen zu kurz dafür, dass der Begriff doch recht bekannt ist. --Cepheiden
Hi Cepheiden, die TFTs sind neben einer Erwähnung im geschichtlichen Abschnitt unter "Spezielle Transistortypen" mit einem Absatz, analog zu anderen spezielle Transistoren, erwähnt und auf den TFT-Artikel verlinkt. Sind die TFT zu gut versteckt?
Weil für solche Detailerklärungen eigentlich der sehr ausführliche Artikel Bipolartransistor zuständig ist. Fängt man hier mit Dateilerklärungen an, wird es immer schwerer Grenzen zu den Detailartikeln zu ziehen. Es ist richtig hier ein OMA-taugliches Bild einzufügen, das ist richtig. Ich weiß nur nicht ob dies nicht zuweit geht. Ähnlich ist es wohl für das aktuelle Bild zum Bipolartransistor, die hilft kaum weiter. Müssen wir uns mal was überlegen. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-08-15T09:39:00.000Z-Kölscher Pitter-2009-08-15T09:31:00.000Z11
Deutlich besser. Ich bin ein Stück in die gleiche Richtung gegangen: Noch dickere Pfeile, noch ein wenig höher, auch die Bezeichnung der Dotierung gleich groß, wie der Rest der Schriften. Außerdem habe ich auch den Löcher-Pfeil abzweigen lassen und die Elektroden optisch etwas vom Halbleitermaterial abgesetzt. (Permanentlink).-<(kmk)>- 02:33, 16. Aug. 2009 (CEST) Nachtrag: Das mit dem Permanentlink scheint nicht zu klappen. Ich bekomme jedenfalls sowohl bei Deinem Permentlink als auch bei meinem nur meine Version. Hier ein Link ins Commons-Archiv zu Deiner Version.-<(kmk)>-Diskussion:Transistor/Archiv#c-KaiMartin-2009-08-16T00:33:00.000Z-Cepheiden-2009-08-15T19:44:00.000Z11
Ha, deswegen unter anderem deswegen hilt ich die Abbildung ja für wenig informativ. Ich bin entgegen gegen eine ausführliche Beschreibung hier. Sowas gehört in den Hauptartikel. Zudem behandelt es nur den BJT (dt. Bipolartransitor)aber nicht alle bipolaren Transistoren. Ein Bild zur Veranschaulichung ist ok, aber ausführlicher, wie gesagt, nein.--CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-08-16T08:44:00.000Z-KaiMartin-2009-08-16T01:04:00.000Z11
Welche Sorten anderer bipolarer Trasnistoren gibt es denn, bei denen das Bild so wenig passt, dass es falsch wird? Ich hätte kein Problem mit einer beispielhaften Grafik im Artikel Transistor. In der Bildbeschreibung sollte natürlich nicht allgemein "Transistor" stehen, sondern etwa "Betrieb eines NPN-Transistor im Verstärkungsbereich". Bei einer Serie, die die vier Arbeitsbereichen illustriert, würde ich an die Anschlüsse nicht mit "Kollektor", "Basis" "Emitter" schreiben. Stattdessen wären Bezeichnungen für die Spannungen "U_c", "U_b" und "U_e" passender. Die relativen Verhältnisse der Spannungen sollten dann in die jeweilige Bildunterschrift.---<(kmk)>-Diskussion:Transistor/Archiv#c-KaiMartin-2009-08-17T00:02:00.000Z-Cepheiden-2009-08-16T13:05:00.000Z11
Andere bipolare Transistoren nutzen zum Teil der Funktionsweise normaler BJTs, aber eben nur zum Teil. Andere bipolare Transistoren sind beipielsweise "Resonant-Tunneling Bipolar Transistor", "Heterojunction bipolar transistor", "Insulated gate bipolar transistors", etc.
Zur Grafik und zu den Bezeichnungen kann ich nur folgendes sagen. Im Artikel wird nur erwähnt das beide Ladungsträger zur Funktion benötigt werden, über Ansteuerung oder Ladungsträger bewegung wird nichts gesagt (das ist auch gut so), deswegen empfinde ich eine Grafik in der die Ladungsträgerbewegung dagestellt wird als falsch platziert im Text. Die Bezeichnungen gegen Spannungen zu ersetzen hat Vor- und Nachteile. Man müsste dann beschreiben was die Spannungen bedeuten, denn die diese Spannungsbezeichnungen sind untypisch und im Text ebenfalls nicht erwähnt. Vorteil wäre man könnte die Bedingungen für den aktiven Bereich aufführen für den die Grafik erstellt wurde. Da hier aber wiederum die Funtkionsweise genauer erläutert werden müsste, versteh ich nicht worin ihr alle den Sinn dieser Grafik für den Übersichtartikel seht. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-08-17T07:48:00.000Z-KaiMartin-2009-08-17T00:02:00.000Z11
IGBTs und Verwandte werden normalerweise nicht als "NPN-Transistor" bezeichnet. Eine Verwechselungsgefahr sehe ich nicht. Auch aus dem Übersichtsartikel sollte hervorgehen, dass sich die Ladungsträger bewegen. Ansonsten könnte man annehmen, es handle sich um Elektrostatik. Dazu reicht ein Halbsatz. Die Graphik habe ich "schön" gemacht, weil der generelle Fluss von Elektronen und Löchern spätestens im BJT-Artikel ausdrücklich dargestellt werden sollte. Dafür sollte es wie schon erwähnt zu einer Serie erweitert werden. Im Übersichtsartikel hätte es Beispielcharakter.---<(kmk)>-Diskussion:Transistor/Archiv#c-KaiMartin-2009-08-17T14:01:00.000Z-Cepheiden-2009-08-17T07:48:00.000Z11
Ich rede nicht von npn-Bipolartransitoren, sondern von bipolaren Transitoren und die damit verbindene Verwechslungsgefahr. Ich kann auch immer noch nicht den Vorteil der Grafik erkennen. Das Funktionsprizip eine Bipolartransistors wird in dem Artikel auch garnicht erklärt, außer das beide Ladungsträgerarten benötigt werden. Ich sehe vielmehr die Gefahr eine zustarken Vereinfachung, die ein falsches Bild der Funktionsweise abbildet. Meint hier wirklich die Grafik hilft Laien beim Lesen des Textes? Ich will mich nicht querstellen, sondern verstehen wie es helfen soll. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-08-17T14:44:00.000Z-KaiMartin-2009-08-17T14:01:00.000Z11
Ich meine, dass der Text im Abschnitt bipolarer Transistor inhaltlich noch nicht wirklich gut ist. Das Bild transportiert die Information, dass sich im Transistor Löcher und Elektronen in entgegengesetzter Richtung bewegen und das Strom durch die Basis fließt. Das ist ein zentraler Punkt an bipolaren Transistoren, der bis jetzt im Text zu kurz kommt. Stattdessen werden die Schaltplansymbole ausführlich beschrieben und die Tatsache, dass man zwei Transistoren in einer Darlington-Schaltung kombinieren kann. Das geht etwas weit ins Detail.---<(kmk)>-Diskussion:Transistor/Archiv#c-KaiMartin-2009-08-17T15:16:00.000Z-Cepheiden-2009-08-17T14:44:00.000Z11
Mhh, da bin ich gespannt wie du den Text gestallten und den Bipolartransistor erklären willst. Von bipolaren Transitoren im Allgemeine ganz zu schweigen. Solltest du wirklich eine kurze, richtige und omataugliche erklärung in diesen Übersichtsartikel einfügen, wäre das schön. Ich habe den Text nicht weiter ausgeführt, weil ich das nicht geschaft hätte. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-08-17T16:00:00.000Z-KaiMartin-2009-08-17T15:16:00.000Z11
Angesicht der Tatsache, dass die Beschreibungen in einem Übersichtsartikel kurz gehalten werden sollten, denke ich nicht, dass jemand der den Übersichtsartikel gelesen hat wissen muss wie der Bipolartanssitor oder die Feldeffekttransistorvarianten funktionieren. Gerade beim Bipolartransistor ist das meiner Meinung nach nicht in zwei drei Sätzen erledigt. Wenn ja, muss der Artikel wohl gründlich überarbeitet werden. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-08-17T21:13:00.000Z-KaiMartin-2009-08-17T20:52:00.000Z11
Bild vom Germanium Transistoren tauschen?
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren6 Kommentare4 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Germanium-Kleinleistungstransistoren aus den 1960er Jahren.Germaniumtransistor OC603 von Telefunken im Glasgehäuse. Teilweise Entfernung der schwarzen Schutzlackierung.wie oben, eingeschränkt auf das untere Bild.
Das rechte Bild gefällt mir auch besser. Die Darstellung als Doppelbild ist allerdings nicht so prickelnd. Im unteren Teil kann man dank Schrägsicht die dreidimensionale Struktur besser erfassen. Ich habe das Bild entsprechend beschnitten die Skala unten reingeschrieben und das Bild wieder nach Commons hochgeladen. Der Transistor ist wahrscheinlich nicht eingegossen, sondern nur von der Glasröhre abgdeckt.---<(kmk)>-Diskussion:Transistor/Archiv#c-KaiMartin-2009-08-16T23:42:00.000Z-DrJunge-2009-08-16T19:10:00.000Z11
Begriff Transistor und Wertschätzung von Lilienfeld
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren6 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Laut New Shorter Oxford English Dictionary (NSOED) handelt es sich bei dem Kunstwort Transistor um: Blend of Transfer v. and Resistor. Als Quelle schlägt der NSOED (meines Erachtens) die Ausführungen der Nobelkommission. Ich finde der zweite Satz der Einleitung sollte entsprechend angepasst werden.
Die Quelle
J. Bardeen, W. Brattain, W. Shockley: Three-Electrode Circuit Element Utilizing Semiconductive Materials. US-Patent 2.524.035, Angemeldet am 27. Juni 1948, Veröffentlicht am 3. Okt. 1950 (Online: auf esp@cenet, Beitrag von Edwin A. Suominen, Abgerufen am 18. Juni 2009)
ist zeitlich nach der Veröffentlichung in der Physical Review:
John Bardeen, Walter Houser Brattain: The Transistor. A Semi-Conductor Triode. In: Physical Review. The American Physical Society, 25. Juni 1948, ISSN0031-899X, S.230–231, doi:10.1103/PhysRev.74.230.
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren3 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Habe diese Behauptung aus der Einleitung entfernt, da nicht allgemein zutreffend. Beispielsweise sind bei machen FETs vier Anschlüsse vorhanden (Bulk und Source getrennt herausgeführt) -> Transistor mit 4 Anschlüssen. Bei manchen Phototransistoren, vorallem bei niedriger Schaltfrequenz, ist mitunter der Basisanschluss nicht herausgeführt -> Transistor mit 2 Anschlüssen. Ausserdem ergibt sich die Anzahl der Anschlüsse unmittelbar aus den Schaltsymbolen bzw. der Summe der Pinbezeichnungen.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2009-08-19T16:41:00.000Z-Immer drei Anschlüsse11
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren3 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Hallo, bei den heutigen Änderungen missfällt mir, dass die Bezeichnung MOSFET zunehmend an Einfluss gewinnt. Da es sich hier nur um eine Besondere Ausführung und nicht um eine systemaische Bezeichung handelt, würde ich dem gern entgegenwirken.
Ein MOSFET ist ja ein spezieller MISFET und diese wiederum ein spezieller IGFET. Da es sich hier um einen Übersichtsartikel handelt sollte er auch eine systematische Einordnung enthalten. Die Frage ist nun ob wir die derzeitige so lassen wollen oder entsprechend systematisch benennen. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-08-19T18:14:00.000Z-Bezeichnungen11 Insgesammt habe ich noch vor eine Zusammenstellung verscheidener Spezialtypen in einer Liste oder Tabelle in den Artikel einzubauen, das dauert abe r sicher noch ein paar Tage (siehe Diskussion oben).
Das Problem ist klar. Die Bezeichnung "MISFET" wird außerhalb von Lehrbüchern kaum gebraucht. Mir ist er zum Beispiel noch nie in Katalogen und Produktübersichten begegnet. Eine Sprachregelung hier in Wikipedia, die zwar begrifflich sauberer, aber vom Gebrauch im Rest der Welst abweicht, ist gegen die Richtlinien. Eine begriffliche Einordnung ist allerdings etwas anders. Da stimme ich Dir zu, dass sie hier im Artikel gut und richtig ist. Im Sinne der Übersicht wäre es auch gut, wenn das Stichwort in einer Zwischenüberschrift auftaucht. Die bisherige Schrägstrich-Form ist allerdings nicht so toll. Sie suggeriert, dass es sich um Synomyme handelt, was nicht der Fall ist. Vorschlag: "MISFETs und MOSFETs".---<(kmk)>-Diskussion:Transistor/Archiv#c-KaiMartin-2009-08-20T16:07:00.000Z-Cepheiden-2009-08-19T18:14:00.000Z11
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren12 Kommentare11 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen ohne mechanische Bewegungen. Sie sind Bestandteil elektronischer Schaltungen welche beispielsweise in der Nachrichtentechnik, der Automatisierungstechnik und in Computersystemen eingesetzt werden. Besondere Bedeutung haben Transistoren in integrierten Schaltungen. Der Begriff „Transistor“ ist eine Kurzform für eine der englischen Bezeichnungen Transfer Varistor, Transformation Resistor oder Transfer Resistor, also einen durch Spannung oder Strom steuerbaren elektrischen Widerstand.
Nach einer größeren Artikelüberarbeitung, welche mit Ende 2007 schon einige Zeit zurück liegt und einem anschliessenden Review, zwischenzeitlich erfolgten diverse Ergänzungen und Verbesserung, möchte ich den Artikel zur Abstimmung vorschlagen. Anzumerken ist noch, dass der Artikel das Ziel hat eher ein allgemeiner Übersichtsartikel zu sein und Details eigenständigen Spezialartikeln vorbehalten sind. Als einer der Autoren Neutral.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2009-08-12T17:47:00.000Z-Transistor11
Für exzellent müßten zumindest die Anwendungen vielleicht noch ausführlicher beschrieben werden. Ich finde die sind dort fast etwas knapp beschrieben. Die Einleitung ist jetzt fast auch noch etwas kurz, man könnte sich bei der Einleitung an der englischsprachigen Version etwas orientieren. Insgesamt müßte für exzellent der Artikel wohl noch ein Stück umfangreicher und detailierter werden. --ThmsfrstDiskussion:Transistor/Archiv#c-Thmsfrst-2009-08-15T12:39:00.000Z-Cepheiden-2009-08-15T09:42:00.000Z11
Abwartend Der Geschichtsteil ist noch einwenig durcheinander: Wer wann was erfunden hat steht zwar drin, aber wieso deutsche in Frankreich auch einen Transistor entwickelt haben und wieso die wichtig sind, wenn das Veröffentlichungsdatum doch später ist, wird nicht klar. Weiterhin sind die Bilder der aufgesägten Transistoren zwar für Kenner der Matierie interessant, ohne eine adäquate Beschriftung, was nun Chip, Anschluß etc. ist, nicht weiter aufschlussreich. --Mirko JungeDiskussion:Transistor/Archiv#c-DrJunge-2009-08-15T21:30:00.000Z-Transistor11
AbwartendIn der Beschreibung geht mir noch zuviel durcheinander. Gut und zweifellos grundlegend ist die Gliederung in die diversen Technologie. Allerdings lassen sich die Werkstoffe nicht von den Technologien trennen, jede Technologie hat ihr spezifisches Material. Ebenso die Aspekte von Schaltungstechnik, Gehäuseform und Fertigungstechnik (Bestücken, Löten). Dazu gibt es hier und dort mal eine vereinzelte Info, systematisch wird das nicht beschrieben. Regelrecht verwirrend finde ich das Hin- und Herwechseln zwischen Transistoren in integrierten Schaltkreisen und Transistoren in Form diskreter Bauelemente. --GiroDiskussionDiskussion:Transistor/Archiv#c-Giro-2009-08-15T22:07:00.000Z-Transistor11
Auswertung: Der Artikel wurde als lesenswert ausgewertet. Die Anzahl der pro-Stimmen überwiegt die Anzahl der contra-Stimmen deutlich. Das vorhandene Veto gibt zudem keine inhaltliche Begründung sondern verweist auf partielle Unverständlichkeit, die entsprechend der lesenswert-Kriterien jedoch bei einem fehlerfreien Artikel explizit toleriert wird. -- Achim RaschkaDiskussion:Transistor/Archiv#c-Achim Raschka-2009-08-21T05:26:00.000Z-Transistor11
Lesenswert trotz nicht-Erklärung der Funktion
Letzter Kommentar: vor 15 Jahren9 Kommentare5 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Offensichtlich ist mir die Kandidatur entgangen. Herzlichen Glückwunsch dazu. Allerdings muss ich Succu in seiner Veto-Diagnose recht geben. Der Artikel versäumt es, über die Funktion des Bauteils Transistor Auskunft zu geben. Damit hat er eigentlich das Pädikat "lesenswert" nicht verdient. Entsprechend kann ich auch die Begründung von Achim Raschka nicht recht nachvollziehen. Das Problem ist ja nicht Unverständlichkeit, sondern ein schwerwiegender blinder Fleck in der Darstellung. Statt einer Revision der Entscheidung würde ich eine Erweiterung des Artikels um eine Darstellung der Funktion bevorzugen. Das kann und soll nicht ins Detail gehen. Aber den Leser ganz im unklaren zu lassen, wofür Transistoren schaltungstechnisch gut sind, ist auch kleine Lösung.
Die Erweiterung sollte zwei Komponenten haben. Einerseits sollte die Einleitung um einen entsprechenden Satz erweitert werden. Zweitens sollte es einen eigenen Abschnitt "Funktion" geben. Dort sollte darauf verwiesen werden, dass Transistoren je nach Typ dazu taugen, mit kleinen Strömen große zu steuern. Dass man mit mit ihnen Ströme durch Spannungen steuern kann. Dass man sie als elektrisch betätigte Schalter einsetzen kann. Dazu sollte jeweil eine Beispiel-Anwendung, für dei jeweilige Funktion. Viel tiefer sollte die Darstellung nicht gehen.
Findet solch eine Erweiterung Eure Zustimmung? Kommentare? Textvorschläge?---<(kmk)>-Diskussion:Transistor/Archiv#c-KaiMartin-2009-08-21T18:59:00.000Z-Lesenswert trotz nicht-Erklärung der Funktion11
Erstens ist davon nur am Rande im Zusammenhang mit der Namensgebung die Rede. Die Funktion eines aktiven Bauteils ist jedoch ein zentraler Aspekt des Lemmas. Zweitens wird ein Transistor nur in den seltensten Fällen als steuerbarer Widerstand eingesetzt. Ein Widerstand zeichnet sich dadurch aus, dass Strom und Spannung über die Beziehung U=RI zusammenhängen. Ein Blick auf das Kennlinienfeld eines Transistors lässt erkennen, dass I_CE im größten Parameterbereich nicht proportional zu U_CE ist.---<(kmk)>-Diskussion:Transistor/Archiv#c-KaiMartin-2009-08-22T20:36:00.000Z-Kölscher Pitter-2009-08-22T07:36:00.000Z11
Hi KaiMartin, was Du als fehlend erwähnt ist in der Einleitung (wenngleich sehr knapp) in dem Nebensatz erwähnt:
[...] einen durch Spannung oder Strom steuerbaren elektrischen Widerstand.
Unter Typen/Bipolartransistor:
Ein kleiner Steuerstrom auf der Basis-Emitter-Strecke führt zu Veränderungen der Raumladungszonen im Inneren des Bipolartransistors und kann dadurch einen großen Strom auf der Kollektor-Emitter-Strecke steuern.
unter FETs:
Feldeffekttransistoren [...] werden durch eine Spannung gesteuert. Besonders für FET ist ein sehr hoher Eingangswiderstand im statischen Betrieb und die daher fast leistungslose Ansteuerung typisch.
Es ist geht vor allem in den sonstigen zig Kilobytes Beschreibung unter. Die wichtigste Frage, die der Artikel Transistor beantworten sollte, ist "Was ist eigentlich ein Transistor?" Zur Antwort gehört offensichtlich und an zentraler Stelle die Funktion. Mit ein paar verstreuten Randbemerkunge ist es da nicht getan. Der Halbsatz in der Einleitung ist dazu noch einigermaßen irreführend (siehe meine Antwort an Kölscher Pitter). Der Satz bei den biplpolaren Transistoren erwähnt zwar, dass ein kleiner Strom einen großen steuern kann. Welche Funktion das in einer Schaltung erfüllen kann, bleibt jedoch der Phantasie des Lesers überlassen. Der Satz bei den FETs sagt noch weniger über die Funktion aus. Er beschränkt sich auf die Aussage, dass die Funktion mit einer Spannung bewirkt wird. Es fehlt jeder Hinweis darauf, dass Transistoren die Röhren als wichtigstes, aktives Bauelement ablösten.---<(kmk)>-Diskussion:Transistor/Archiv#c-KaiMartin-2009-08-22T21:02:00.000Z-Wdwd-2009-08-22T09:03:00.000Z11
Das mit dem Ablösen der Triode durch den Transistor ist wichtig. Es sollten aber stichpunktartig auch die Grüde genannt werden: geringer Baugröße, geringere Verlustleistung, keine Heizspannung, längere Lebensdauer, geringere Vibrationsempfindlichkeit (zumindest bei den planaren Taransistoren). (Die Liste erhebt keinen Anspruch auf Vollständigkeit). Grüße, --Mirko JungeDiskussion:Transistor/Archiv#c-DrJunge-2009-08-23T10:20:00.000Z-KaiMartin-2009-08-22T21:02:00.000Z11
@KaiMartin, ein linearer Widerstand kennzeichnet sich durch die Bezeihung U=RI aus. Von einem linearen steuerbaren Widerstand war/ist bei einem Transistor keine Rede, da, wie Du richtig feststellst, das auch nicht korrekt wäre.
Letzter Kommentar: vor 14 Jahren10 Kommentare4 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Als person ohne ahnung habe ich die seite angeschaut und war nachher so schlau wie vorher.
eingangs wird in einem satz lapidar festgehalten der transistor sei ein "elektronisches bauteil zum schalten und verstären von elektrischen signalen" (oder so ähnlich) danach geht es dann direkt massiv ins detail. eine grunlegende definition mit etwas mehr ERLÄUTERUNG oder einem BEISPIEL wäre aus meiner sicht gut! 80.218.239.157Diskussion:Transistor/Archiv#c-80.218.239.157-2009-10-03T23:28:00.000Z-grundlagen?11
"Betriebsblind" bin ich in diesem Zusammenhang nicht. Der erste Satz hat wohl immer ein großes Gewicht. Danach muss man weiterlesen. Ohne "Lesen" gehts natürlich mit einem Bild. Leider haben die "betriebsblinden" Fachleute ein Bild aus der Einleitung entfernt mit dem Argument: das ist ja ein Bipolar.... Gut: dann muss ein anderes Bild her. Aussage: Halbleiterkristall, gesteuerter Widerstand.-- Kölscher PitterDiskussion:Transistor/Archiv#c-Kölscher Pitter-2009-10-04T11:52:00.000Z-Cepheiden-2009-10-04T07:32:00.000Z11
Beispiel und Erläuterungen gibt es ja, aber offensichtlich nicht laienverständlich dargestellt. @Kölscher Pitter Welches Bild hast du da vor Augen? Die Bebilderung in der Einleitung hat sich doch sehr lange nicht geändert. Zur erweiterten Definition, (strom- oder spannungs) gesteuerter elektrischer Widerstand ist schon mal ganz gut. Was den "Halbleiterkristall" angeht habe ich bedenken, schließt man damit nicht viele organische Transistoren und auch Dünnschichttransistoren auf Basis von amorphen Silizium aus? --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-10-04T12:21:00.000Z-Kölscher Pitter-2009-10-04T11:52:00.000Z11
Der Artikel ist "gut". Ich möchte da nicht mißverstanden werden. Die IP-Kritik zeigt dennoch einen Konflikt. "Halbleiterkristall" geht nicht, weil ja auch amorph möglich ist. Bild geht nicht weil ja "nur" bipolar. Das sind die Argumente der Fachleute. Der englische Artikel spricht vom "festen" (solid) Halbleitermaterial (semiconductor). Offensichtlich sind diese Autoren "pragmatischer". Und dort ist ein Bild in der Einleitung, was dem Leser eine "grobe" Vorstellung gibt.-- Kölscher PitterDiskussion:Transistor/Archiv#c-Kölscher Pitter-2009-10-06T08:56:00.000Z-grundlagen?11
Die Reden eben von einen (festen) Halbleiter, ich sehe da kein Problem im deutschen Artikel auch zu nutzen. Das hat meiner Meinung nach auch nichts mit Pragmatismus zu tun. Aber eine "solid semiconductor material" ist eben nicht gleichzusetzen mit einem Halbleiterkristall. Es wäre doch unsinn in der EInleitung etwas zu behaupten, was im ersten Absatz dann wieder aufgehoben wird. Und da es nunmal eine Vielfalt von Transistoren mit zum Teil komplett unterschiedlichen Funktionsprizipien gibt, kann man in einer Einleitung zu einem solchen Übersichtsartikel alt nur "schwammige" Aussagen machen. Ich sehe auch kein Problem in die Einleitung ein erklärendes Bildeinzufügen, sei es auch nur von einem bestimmten Transitortyp. Das Bild muss aber so gestalltet sein, dass es erklärt und nicht dass es den Laien vollkommen unverständlich ist. Zudem sollte auch betont werden, dass es sich damit nur um ein Beispiel handelt. Das alles ändert doch aber leider nichts daran, dass das Bauelement Transistor in der Einleitung alle Transistoren beschreiben muss. Im Artikel zu Motor steht doch auch nicht "er wandelt Benzin in mechanische Energie um". Verstehst du mich? --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2009-10-06T15:43:00.000Z-Kölscher Pitter-2009-10-06T08:56:00.000Z11
Ich wehre mich garnicht, ich sag, dass es keine korrekte Einschränkung ist, wenn man damit alle Transistoren beschreiben will. --Cepheiden P.S. ich will ja nicht stänkern aber nachdem ich letzten eine Probevorlesung im Rahmen eines Habilitationsverfahrens gehört habe, stimmt auch Halbleiter nicht 100%ig. Es gibt auch noch die Spezialvariante MIMIM-Transistor (Metal-Insulator-Metal-Insulator-Metal). Auch wenn ich da einen Bruch in meiner Meinung habe, denke ich aber, dass wir dem dem normalen Leser auch erstmal vorenthalten können. Dünnschichttransistoren mit amorphen Silizium werden zudemin einer ganz anderen Größenordnung eingesetzt.
Hi all, hab mal aus der Einleitung diese (eigenartige) Ventil-Analogie entfernt. Ein Transistor ist im Prinzip nix anderes als ein steuerbarer Widerstand. Die Steuerbarkeit ist durch eine elektrische Steuer-Spg oder durch einen elektrischen Strom möglich, je nach Typ verschieden. Jene Steuerbarkeit ist *die* wesentliche Eigenschaft, egal wie das dann im Detail realisiert sein mag. Zur Erklärung dieser Grundfunktion braucht es keine Verrenkungen und ein Ventil oder ähnliches - zumal manche Transistoren ganz und gar keine Ventilwirkung haben und den gesteuerten Strom in beide Richtungen leiten können (z.b. MOSFETs). Einschränkung auf Halbleiter und Kristalle ist auch nicht nötig bzw. falsch - Vorschlag: Ein Transistor ist ein elektronisches Bauelement der Festkörperphysik womit auch die Abgrenzung zu Elektronenröhre und Umfeld gegeben ist.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2009-10-06T19:12:00.000Z-Kölscher Pitter-2009-10-06T16:44:00.000Z11, der beim tippen dieser Nachricht auf einen Monitor mit einigen Millionen ganz und gar nicht kristallinen Transistoren blickt...
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Letzter Kommentar: vor 14 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Ich habe hier einen Artikel über eine experimentelle Arbeit vorliegen
R. Hilsch, R.W. Pohl,
Steuerung von Elektronenströmen mit einem Dreielektrodenkristall und ein Modell einer Sperrschicht,
Zeitschrift für Physik A - Hadrons and Nuclei,
Springer Berlin / Heidelberg,
Volume 111, Numbers 5-6, Mai 1938, pp. 399-408
Sehr interessant. Leider begegnet einem das im Bereich Transistor häufig. Das betrifft aber eben nicht nur die Wikipedia sondern auch Fachbücher zum Thema (z.B. erwähnt Bo Lojek in seinem Buch "History of Semiconductor Engineering" den Namen Hilscher garnicht). Das gleiche Problem hatten auch die Arbeiten von Lilienfeld, Heil, Mataré und Welker, die in den damaligen Publikationen bewusst oder unbewusst unterschlagen wurden. PR ist halt viel wert ;-). Bei Gelegenheit muss man dem mal nachgehen. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2010-03-26T09:12:00.000Z-Tsulima-2010-03-26T08:32:00.000Z11
Erster Feldeffekttransisor von Heil
Letzter Kommentar: vor 14 Jahren2 Kommentare1 Person ist an der Diskussion beteiligt
Aha, und was bitteschön soll sich da bewegen können? Da ist nichts. Wir hatten die Diskussion vor einiger Zeit schon mal, bei Computer-Hauptplatinen und angeblich singenden Prozessoren, und da hat man sich mehr oder weniger auf Induktivitäten der umliegenden Spannungswandler geeinigt, die sind dafür bekannt und haben Spulen, die nicht 100%ig fest sind und schon mal ein bisschen Spiel haben können. --PeterFrankfurtDiskussion:Transistor/Archiv#c-PeterFrankfurt-2010-10-20T00:06:00.000Z-Schily-2010-10-19T08:46:00.000Z11
Habe einen Pb-Akku-Impulsbelaster gebaut, der den Akku in kurzen Intervallen mit min. 60A belastet und ihn in den Pausen (wenn der Transistor ausgeschaltet ist) nachlädt, soll angeblich die Lebensdauer des Akkus verbessern. Vom 98A-FET (IRF 3205) im TO 220-Plastikgehäuse mit einem kleinem Al-Kühlkörper sind deutlich Klickgeräusche vernehmbar - also selbst mal ausprobieren und anhören. Meine Vermutung ist, dass die relativ großen Feldstärken (magnetisch oder auch elektrisch) auf die relativ kleinen Si-Halbleiterstrukturen Größenänderungen in der Geometrie des Chips hervorrufen, die akustisch am Kühlkörper abgestrahlt werden. Bei Trafokernen ist ein (ähnlicher) Effekt als "Netzbrummen" wohl jedem bekannt. Bei Microprozessoren auf Mainboards sind die Stromstärken und damit die Felder im allgemeinen nicht so groß und zum anderen dürften Lüftergeräusche alles andere akustisch überdecken. Rolf MaderDiskussion:Transistor/Archiv#c-RoRaiMa-2010-10-27T20:50:00.000Z-195.37.78.149-2010-10-21T14:47:00.000Z11
Auf jeden stromdurchflossenen Leiter wirken Kräfte (unter anderem die Lorentzkraft), oder wie bei Trafos und deren Brummen/Pfeiffen (Schaltnetzteile) Kräfte zufolge Magnetostriktion im Kern. Was alles bei entsprechender Stärke der Krafte die verwendeten Materialien verformen bzw. bewegen kann und somit "Klickgeräusche" bzw. im perdiodischen Fall ein Summen/Pfeiffen/wasauchimmer als Geräusch abgeben kann. Aber was hat das alles mit Transistoren und deren Funktion zu tun? Ratlos. Man kann mit einen Transistor auch so in der Luft "herumwedeln", sodass es irgendwelche Geräusche gibt. Und wenn man dann den Transistor am Boden fallen lässt, werden im Regelfall auch Geräusche entstehen. Das ist aber alles ziemlich sinnbefreit.--wdwdDiskussion:Transistor/Archiv#c-Wdwd-2010-10-27T21:14:00.000Z-RoRaiMa-2010-10-18T19:43:00.000Z11
Letzter Kommentar: vor 13 Jahren5 Kommentare3 Personen sind an der Diskussion beteiligt
„Statt der heute häufigsten Bauform des MOSFET auf Basis von Silizium sollen Tunneleffekt-Transistoren (TFET) zum Einsatz kommen. Diese werden aus Silizium oder Silizium-Germanium-Verbindungen gebaut. Die Gates sind dabei um ein Nanoröhrchen angeordnet, in dem der Tunneleffekt stattfindet.“[4]
Zum vorstehenden Absatz könnte (oder sollte) hier im Artikel vielleicht auch mal ein eigener Absatz eingefügt werden (siehe dazu auch unter Tunneleffekt).
--Konrad – Diskussion:Transistor/Archiv#c-Konrad F.-2010-10-28T13:02:00.000Z-Vorlage zum Tunneleffekt-Transistor11
Also TFET heißt tunnelling field effect transistor oder tunnell field effect transistor, eine deutsche Übersetzung würde ich demnach "Tunnel-Feldeffekttransistor" begrüßen. "Tunneleffekt-Transistor" halte ich für eine Falschübersetzung, die leider in den Medien Einzug gehalten hat. Aktuelle deutschsprachige Fachbücher sind leider eher Mangelware, aber auch da zeichnet sich dies ab. Ich werde mir mal die Tage das Funktionsprinzip genauer anschauen, scheint aber beim IBM und co alles mehr oder weniger auf sehr kleine "Carbon Nanotube Field Effect Transistor" (CNFET) hinauszulaufen. Achso derzeit ist es nur eine IDEE für einen nachfolger, davon gab es aber schon viele. Man sollte also vorsichtig mit Ergänzungen/Spekulationen im Artikel sein --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2010-10-28T15:30:00.000Z-Konrad F.-2010-10-28T13:02:00.000Z11
Spekulationen wie obiger Presseartikel sind im Artikel nichts. Das sind Ideen und Modellrechnungen/Simulationen, tlw. grobe Versuche mit manchmal beachtlichen numerischen math. auch sehr anspruchsvollen Simulationen - aber nur sehr wenig real Aufgebautes/Verifiziertes ob das auch so spielt wie man glaubt.
Es gibt die Resonant Tunneling Transistors (RTT) bzw. Schottky Barrier Quantum Well Resonant Tunneling Transistors im Modell, für mögliche Anwendungen im oberen GHz bzw. THz-Bereichen. Siehe 1, 23 oder 4. Zieht sich schon längere Zeit (Jahrzehnte) dahin und es ist eigentlich nicht erkennbar, warum es jetzt plötzlich den "grossen Durchbruch" geben sollte und sogar herkömmliche MOSFETs (MISFETs) durch RTTs abgelöst werden sollten.
Also ich habe mal grob geschaut, neben Tunelling CNFETs gibt es TFETs auf SiGe-Basis. Soweit ich das sehe kam diese Idee so [5] oder früher auf. Der Aufbau ist von der Geometrie recht ähnlich zu normalen MOSFETs (ohne halo, LDD und so'n Kram) nur eben mit ner oin-Diode. Naja seht selbst [6]. Ich würde mich über jeden neuen Transistor-Artikel freuen, aber die Relevanz für eine mehr oder weniger umfangreiche Erwähnung hier ist nicht gegeben. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2010-10-28T19:11:00.000Z-Cepheiden-2010-10-28T15:30:00.000Z11 P.S. Ein MIMIM-Transistor oder vergleichbares könnte auch als Tunneleffekt-Transistor bezeichnet werden. Egal ich finde die Bezeichung irreführend
Keine Beschreibung für N-MOSFET Bild.
Letzter Kommentar: vor 13 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
die gelben Bereiche bestehen aus n-dotiertem Silizium (+ = hoher Dotierungsgrad)
das Metall ist für die Grundfunktion egal. Es beeinflusst aber die Transistorkennlinien. Für die Materialwahl fließen aber auch noch weitere Faktoren (Diffusionsverhalten, Leitfähigkeit, Kosten, Temperaturbelastbarkeit, Haftung auf dem Substrat, uvm.) ein. In ICs ist hier Wolfram üblich, aber auch Aluminium geht. Da es hier aber nur um ein Schema geht und die wirklichen Beuelemente in heutigen Spitzenprodukten weit komplexer sind, hat es wenig Sinn, dies weiter auszuführen. --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2010-11-21T11:28:00.000Z-Jangirke-2010-11-21T11:20:00.000Z11
Wort Transistor und Wort CPU
Letzter Kommentar: vor 13 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Das Wort [Transistor] gibt es im Volltext der Deutschen Wikipedia 996 mal.
Das Wort [CPU] gibt es im Volltext der Deutschen Wikipedia 1803 mal.
Wenn beim Transistor und in der CPU von einem Schalttakt Gigahertz (3,33GHz und 5,2GHz) die Rede ist, bezieht sich das auf den Strom (on/off) der in einer Sekunde durch das Halbleitermaterial des Transistors fliesst. Deshalb ist auch eine Schaltfrequenz von bis zu 999 GHz in der CPU, im Transistor, im Halbleitermaterial technisch machbar. In den Atomen des Halbleitermaterials fliesst der Strom in einer Sekunde mit einem Schalttakt im Jahr 2011 von 3,33GHz Intel und 5,2GHz IBM.
Letzter Kommentar: vor 12 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Ich habe gerad den Artikel besucht, um heraus zufinden, was ein Transistor grundsätzlich macht. Dabei fand ich die Seite hier nicht so hilfreich. Sowohl in dem Wiki-Artikel zu den FETs als auch zu den BJTs fand ich Skizzen und Erklärungen, die für den Laien wesentlich leichter verständlich sind und einfach erklären, wie so ein Transistor allgemein arbeitet. Das sollte man hier unbedingt reinnehmen, da dies ja der allgemeine Transistor-Artikel ist und er sowohl in der Geschichte als auch bei den Typbeschreibungen sehr ins Detail geht, ohne das solche Grundlagen ausreichend erklärt werden.
Hallo, danke für die Anmerkungen, leider ist es nicht so einfach die Funktion eines Transistors im Allgemeinen zu beschreiben. Der Grund ist, dass es diverse Funktionsprinzipien (vorrangig die des BJT und des FET) gibt, die sich nur wenig ähneln. Der Artikel hier soll daher nur einen Überblick vermitteln, für alles andere sind die Unterartikel da. Was fehlt denn unter diesen Gesichtspunkten deiner Meinung nach genau in diesem Artikel? --CepheidenDiskussion:Transistor/Archiv#c-Cepheiden-2011-09-15T10:38:00.000Z-Stabacs-2011-09-15T10:26:00.000Z11
Nutzen / Funktion
Letzter Kommentar: vor 12 Jahren4 Kommentare3 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Letzter Kommentar: vor 12 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Im Artikel steht : Transistoren haben Elektronenröhren als Signalverstärker auf fast allen technischen Gebieten abgelöst, mit Ausnahme etwa der Sendetechnik im Rundfunk. Ein weiterer wichtiger Bereich ist der Verstärkerbau, seien es Audioverstärker oder Gitarrenverstärker. Das wäre auch was für's Kapitel Anwendungen. Ich bin mit dem Thema aus der Praxis vertraut, habe aber zu wenig Hintergrundwissen, um dazu fundiert was schreiben zu können. Wäre toll, wenn sich dem jemand annehmen würde. --Hajo KefferDiskussion:Transistor/Archiv#c-Hajo Keffer-2012-02-21T08:49:00.000Z-Elektroakustik11
Letzter Kommentar: vor 9 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
"S. 317 ff.." am Ende dieser Quellenangabe hinkt doch typographisch? Mir scheint da kommen der Abkürzungspunkt von "ff." und ein Satzendepunkt aus "In: (Sammelwerkname)" zusammen. Ohne korrektweise zusammengelegt zu werden. Betrifft also die Vorlage:Literatur.
Letzter Kommentar: vor 9 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Dieses Wort wurde genau einmal, nämlich von Schottky in den 1950er Jahren verwendet, allerdings nicht für Transistoren sondern für eine sehr spezielle Art von Transistor, für die ihm damals kein anderer Name einfiel. Der Satz in der Einleitung gehört gelöscht. Jede Triode ist, wie jede Elektronenröhre, ein Halbleiter. Es gibt keine "Ganzleitertrioden". --Asugar (Diskussion) Diskussion:Transistor/Archiv#c-Asugar-2014-11-02T08:21:00.000Z-"Halbleitertriode"11
Der Name mag veraltet sein, was man auch klarstellen sollte, suche aber mal bei google books unter Halbleitertriode, dann wirst du sehen dass die Verwendung als Synonym für Transistor kein Einzelfall war, z.B. Stuart, Klages Kurzes Lehrbuch der Physik, Springer 2009, S. 147 unter Transistor: "Als Halbleitertriode besitzt der Transistor....". Günter Haase "Physik für Mediziner" 1968: "Paragraph 202 Die Halbleitertriode: der Flächentransistor". Der Satz in der Einleitung verdeutlicht außerdem, dass der Transistor die Funktion der Triodenröhre übernahm (ähnlich wie Halbleiterdiode bei der entsprechenden Röhrendiode). Deine Identifizierung von Röhren mit Halbleitern, mit der du für Löschung des Satzes plädierst, ist (auch wenn das der simplen Wortbedeutung nach stimmen mag) dagegen in meiner Sicht völlig ungebräuchlich, unter Halbleitern versteht man heute ganz überwiegend ein bestimmtes elektronisches Material.--Claude J (Diskussion) Diskussion:Transistor/Archiv#c-Claude J-2014-11-02T08:52:00.000Z-"Halbleitertriode"11
Dreibeinigkeit
Letzter Kommentar: vor 9 Jahren20 Kommentare6 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Also da mit der Halbleitertriode bin ich mir nicht ganz sicher ob das so stimmt. Ich hab zwar hier gefunden, dass ein Transistor auch als Halbleitertriode bezeichnet wird, aber das war so ziemlich der einzige Google-Treffer der zu diesem Thema etwas aussagt. Bei Wiktionary gibt es noch einen kleinen Artikel über den Transistor. Dieser Artikel listet unter Synonyme auch die Halbleitertriode, wobei ich mir aber nicht ganz sicher bin ob dieses Synonym nicht aus der Wikipedia übernommen wurde, da ein Einzelnachweis auf die Wikipedia-Seite vorhanden ist. Ich persönlich bin eher nicht dafür, dass man einen Transistor als Halbleitertriode bezeichnet (zwar sind die Grundeigenschaften von Triode und Transistor gleich, aber es gibt ja doch gewisse unterschiede). Gruß, Korrektor123 (Diskussion) Diskussion:Transistor/Archiv#c-Korrektor123-2014-11-25T16:39:00.000Z-Huckebeinchen-2014-11-25T14:46:00.000Z11
Lieber Cepheiden, ich habe keinerlei Anliegen an dich oder Wiki.
Was ich mit Dreibeinigkeit, etwas salopp umschrieben habe, bezieht sich natürlich auf die Elektroden. Die Heizung bei der Triode habe ich einfach weggelassen, obwohl sie bereits einen gravierenden Unterschied zum Transistor darstellt. Nächster Punkt: Spannungssteuerung am Gitter der Triode versus Stromsteuerung an der Basis des Transistors. Ein ganz schlauer wird jetzt mit dem MOSFET ankommen.
Dem empfehle ich die Gitterkapazität, die im einstelligen pF-Bereich liegt, mit der Gatekapazität im nF-Bereich zu vergleichen. Alles in allem muss man einen ordentlichen Knick in der Optik haben um Gemeinsamkeiten zwischen Röhren und Transistoren zu erkennen. Der Unterschied wird auch fürs Ohr deutlich wenn man die Teile vom Arbeitstisch auf den gefliesten Werkstattboden fallen läßt.--Huckebeinchen (Diskussion) Diskussion:Transistor/Archiv#c-Huckebeinchen-2014-11-27T23:48:00.000Z-Dreibeinigkeit11
Um allen eine Lösung zu bieten schlage ich hier einmal folgende Änderung im Einleitungssatz vor:
Aktuell: Da die Wirkungsweise einer entsprechenden Elektronenröhre, nämlich der Triode, ähnelt, wird der Transistor auch als „Halbleitertriode“ bezeichnet.
Vorschlag: Da die Wirkungsweise einer Elektronenröhre (Triode), der eines Transistors ähnelt, hat der Transistor die Triode in den meisten Fällen abgelöst.
Ich sehe zwischen Spannungssteuerung und Stromsteuerung keinen Unterschied, der so fundamental ist, dass diese beiden Arten der Steuerung nicht vergleichbar sind: Die Stromstärke beim Gate ist ja (wenn man die Temperatur konstant lässt) ausschließlich von der angelegten Spannung abhängt. Und die Temperatur lasst man ja üblicherweise in einem Bereich, in dem die Temperaturunterschiede keinen Einfluss auf den Betrieb haben. Die wichtigste Ähnlichkeit zwischen Transistor und Triode ist aber mMn, dass man mit beiden die gleichen logischen Schaltungen (Gatter) bauen kann und der Aufbau sich auch im Prinzip nicht ändert (abgesehen davon, dass man bei den Trioden noch zusätzlich die Heizung einbauen muss), wenn man Trioden durch Transistoren ersetzt, weil man in beiden Fällen den Strom zwischen zwei Anschlüssen elektrisch mit einem dritten Anschluss regeln kann. Oder anders ausgedrückt: man kann beides als einen elektronischen Schalter verwenden. --MrBurns (Diskussion) Diskussion:Transistor/Archiv#c-MrBurns-2014-12-14T08:26:00.000Z-Huckebeinchen-2014-12-14T06:38:00.000Z11
@Huckebeinchen: Ich wollte fragen warum sich deiner Meinung nach eine Triode nicht mit einem Tranistor vergleichen lässt? Ein Transitor funktioniert zwar physikalisch gesehen komplett anders als eine Triode, zeigt aber doch vergleichbare Eigenschaften auf. Wieso hat der Transistor die Triode im Computer abgelößt, wenn eine Triode so viel anders ist als ein Transistor? Die Wichtigste Eigenschaft ist doch eigentlich, dass beide den Widerstand von Kollektor und Emitter über einen dritten Pin (Basis) verändert werden kann. Zwar fließt im gegensatz zur Triode ein Basis-Emitter-Strom, was sich aber durch den Einsatz eines, wie schon des öfteren erwähnt, MOSFETs verhindern lässt. Du nennst zwar unterschiede in der Gitter- und Gatekapazität, jedoch ist diese meines Erachtens so gering, dass in normalen Anwendungen (Transistor als Schalter hergenommen) vernachlässigt werden kann. Soll irgendetwas verstärkt werden, Beispiel Radio, hört man ja den Unterschied. Deshalb auch mein vorschlag, dass der Transistor die Triode in den meisten (nicht in allen) fällen abgelößt hat. Außerdem steht ja im Artikel, dass sich die Wirkungsweisen ähneln, also dass sie nicht komplett gleich sind. Gruß, Korrektor123 (Diskussion) Diskussion:Transistor/Archiv#c-Korrektor123-2014-12-15T16:37:00.000Z-MrBurns-2014-12-14T08:26:00.000Z11
Zustimmung @Huckebeinchen! Unabhängig von den tatsächlich gegebenen Vergleichbarkeiten und Unterschieden zwischen Röhre und Transistor halte ich den Begriff Halbleitertriode für derart ungebräuchlich, dass ich ihn jedenfalls nicht für geeignet halte, im Einleitungssatz erwähnt zu werden. Die Kürzung auf "Die Wirkungsweise ähnelt der einer entsprechenden Elektronenröhre, nämlich der Triode." halte ich für geboten. Grüße --losch (Diskussion) Diskussion:Transistor/Archiv#c-Losch-2014-12-15T17:17:00.000Z-Huckebeinchen-2014-11-27T23:48:00.000Z11
Kollektorschaltung: völlig unzureichende Kennzeichnungen -wiki-krankheit: abschreiben, mit nur leiser Ahnung
Letzter Kommentar: vor 9 Jahren1 Kommentar1 Person ist an der Diskussion beteiligt
Zitat: "Die versorgende Spannungsquelle soll für das Signal keinen Widerstand besitzen (gegebenenfalls einen Kondensator parallel schalten),I) [sorry: könnte man Buchstaben an die jew. Ecken setzen? Versorgungs U = Ende R1 bis Ende R 2 ?
II) R1 nd R2 teilen die Spannung an C1; da könnte ich ein Potio setzen u. einstellen, aber auf wieviel R und damit U ?
III) Schwächt C 1, falls parallel zur Signalspannung nicht das Signal? Aber: C1 ist doch hier nicht parallel zu R2, sondern in Reihe! Wenn parallel, - würde das Sigal wohl geglättet- oder ? (was niemand will);
IV) ZITAT: "Dieser (ich frage, wer?), wird vom Arbeitswiderstand bestimmt"; "an ihm liegt eine Spannung mit der Eingangsspannung und der Basis-Emitter-Spannung von circa 0,7 V.
V) Von wo bis wo geht der Arbeitswiderstand? Ist man zu blöd, alle Ecken, mit Buchstaben zu benennen?
VI) von wo bis wo wird gemessen: "mit der Eingangsspannung UND der Basisemitter-Spannung.. von 0,7 Volt";
VII) Private Frage: möchte mit enem Transtor eine Autobirne, 12 V / 60 W, mit einem Taster (wie manuelles Stroboskop) schalten. Also: * Manuell schaffe ich 4- 5 Tastungen / sec; das wären an einer rotierenden Scheibe 300 U / min, ebensoviele 300 Blitze/ min.
Ich würde gerne mit dem Taster die Basis "antasten".
Kann es sein, dass du dich mit dem Artikel vertan hast? Deine Anmerkungen beziehen sich nicht auf den Inhalt dieses Artikels "Transistor", sondern offensichtlich auf den Artikel "Transistorgrundschaltungen" im Abschnitt "Kollektorschaltung (Emitterfolger)". Führe deine Diskussion also dort weiter.
Ansonsten finde ich deine Anmerkung in dieser Diskussionsüberschrift sowie Formulierungen im Inhalt reichlich unangemessen. Du scheinst selbst keineswegs die Kompetenz zu haben, derartige Kritik anzumelden.
Letzter Kommentar: vor 8 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Ich habe ein Problem: Gerade habe ich das mit den Indiumpillen ergänzt, wie ich es auch früher gelernt habe. Dafür gibt es notfalls auch Web-Quellen als Beleg. Nun ist Indium als Dotiermaterial ja 5-wertig, sollte also ein Elektronendonor sein, also N-Dotierung bewirken. Solche Transistoren waren aber PNP, mit rechts und links je einer Indiumpille, und nicht NPN. Da muss ich irgendwas in den falschen Hals bekommen haben. Ich weiß auch nicht, ob das Ge-Grundmaterial irgendwie vordotiert war. Vielleicht macht das ja dann den Unterschied? --PeterFrankfurtDiskussion:Transistor/Archiv#c-PeterFrankfurt-2011-11-04T02:00:00.000Z-Indiumpille11
Letzter Kommentar: vor 7 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Im Abschnitt über den Bipolartransistor steht, dass solche Transistoren prinzipiell selbstsperrend sind. Das würde bedeuten, dass alle Bipolaren Transistoren (ganz gleich ob pnp oder npn) sperren, wenn die Basis-Emmitterspannung 0V beträgt. Stimmt das?
Bipolartransistoren sind stromgesteuert, d.h., wenn die Basis offen (nicht angeschlossen) ist bzw. die Spannung zwischen Basis und Emitter 0V ist, fließt (idealerweise) kein Strom durch die Basis und der Transistor hat nichts zu verstärken. Wenn du bei Systemen mit positiver Versorgungsspannung den Emitter des pnp-Transistors an die (positive) Versorgung legst und die Basis an "0V" (Masse), fließt natürlich ein Strom durch die Basis und der Transistor leitet. Um aber wirklich eine Basis-Emitter-Spannung von 0V am pnp-Transistor zu haben, müsstest du also auch die Basis an die positive Versorgung legen; dann fließt wieder kein Strom durch die Basis und der Transistor sperrt. Deshalb hatten Systeme in der Zeit der (pnp) Germanium Transistoren meist auch eine negative Versorgungsspannung, d.h. Plus war an Masse gelegt. --Wosch21149 (Diskussion) Diskussion:Transistor/Archiv#c-Wosch21149-2016-10-08T22:41:00.000Z-132.231.178.197-2016-10-08T14:13:00.000Z11
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Letzter Kommentar: vor 7 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Der Link zu: "Peter Salomon: „Deutsche Halbleiter-Technik vor 1945 ?“" erscheint mir unangebracht. Der Text stellt nur die Meinung einer Einzelperson dar und entspricht nicht dem wissenschaftlichen Konsens. Man betrachte auch die anderen Texte seiner Seite, welche eher eigene Erfahrungsberichte und als politische Meinung getarnte Stammtischparolen darstellen. Der schlechte Stil und die Fülle an Fehlern runden das Bild einer nicht vertrauenswürdige Quelle ab.
(Leider kann ich z.Zt. nicht auf mein BEnutzerkonto zugreifen, da Passwort vergessen und neue Email, daher "nur" die IP:) --217.226.239.244Diskussion:Transistor/Archiv#c-217.226.239.244-2009-02-17T16:21:00.000Z-Links11
Kann da nur zustimmen. Da sollen das "Deutschtum" der Technologie betont werden, die Niederlage Deutschlands im WK2 soll kleingeredet werden. Auf einer Stufe mit Reichsflugscheiben. Der Text im Link entspricht nicht wissenschaftlichen Standards und ist unter Phantasterei einzuordnen. Der übrige Inhalt der Seite beschränkt sich auf sog. Ostalgie. Links zu solchen Seiten braucht Wikipedia garantiert nicht. Darum gelöscht. Nazikacke. --5.56.223.79Diskussion:Transistor/Archiv#c-5.56.223.79-2017-07-19T16:02:00.000Z-Links11
Was ist ein Transistor?
Letzter Kommentar: vor 6 Jahren2 Kommentare2 Personen sind an der Diskussion beteiligt
Bevor ich mit ellenlangen historischen Einblicken in die Entwicklungsgeschichte des Transistors (die m.E. in einen eigenen Artikel ausgegliedert werden könnten) behelligt werde, würde ich in einem Lexikon erwarten, die Funktionsweise dieses Bauelements erläutert zu bekommen. Ich habe leider keine Ahnung von Transistoren und werde hier als anonyme IP nichts ändern, im Englischen Artikel lieferte mir dieser Abschnitt aber so ziemlich genau die Information, die ich auch im Deutschen eingangs erwartet hätte:
"A transistor is a semiconductor device used to amplify or switch electronic signals and electrical power. It is composed of semiconductor material usually with at least three terminals for connection to an external circuit. A voltage or current applied to one pair of the transistor's terminals controls the current through another pair of terminals. Because the controlled (output) power can be higher than the controlling (input) power, a transistor can amplify a signal."